一种区分键合或退火后LN/LT-SiC晶圆中裂纹与划痕的方法技术

本申请涉及一种区分键合或退火后LN/LT‑SiC晶圆中裂纹与划痕的方法，属于晶圆缺陷检测技术领域。检测设备包括光源、晶圆载台和光信号采集系统，方法包括：超纯水清洗晶圆，放入甩干机再放入氮气柜干燥；用中心波长1450~1550nm、半宽高≤20nm、入射角度30±5°的窄带红外LED光源扫描晶圆；光信号采集系统回收光信号，显示出相比背景光强变大的区域，并将该区域处理为亮线；若亮线宽度＞3μm，边缘模糊，长宽比局部断续，透光率＜120%，则判断为划痕；若亮线宽度＜3μm，边缘平滑，长宽比呈线性连续，透光率＞150%，则判断为裂纹，该方案可高准确率区分LN/LT‑SiC晶圆中裂纹与划痕。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及一种区分键合或退火后ln/lt-sic晶圆中裂纹与划痕的方法，属于晶圆质量检测。

技术介绍

1、ln/lt晶圆属于中等硬度材料，具有脆性，加工时会因机械应力不均或高温时不同材料热膨胀系数不同而导致裂纹的产生，机械摩擦如操作、清洗、抛光过程中的硬物接触会引起划痕，是表面的沟槽状损伤本身不致命可通过后续修复或降级使用，降低成本提高良率；而裂纹主要由热应力或机械应力超过材料极限引起具有尖锐尖端，是导致器件断裂失效的致命缺陷。划痕则多源于机械摩擦，虽可能影响性能和后续工艺，但危害相对可控。

2、裂纹或划痕的误判会造成存在致命缺陷的铌酸锂或钽酸锂晶圆流入后续工艺或成为产品造成器件失效，带来巨大经济损失和可靠性风险；划痕片可降级或修复后使用，避免成本浪费，并且误判划痕为裂纹会导致合格晶圆被过度报废，阻碍精准的工艺问题溯源与优化，因此对于晶圆中裂纹与划痕的区分就较为重要。

3、现有区分方法如人工目检、常规光学显微镜都存在效率低、主观性强、易混淆的问题，难以满足在线、批量、无损检测的需求，而采用高分辨率设备如sem、afm则成本高、速度慢本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种区分键合或退火后LN/LT-SiC晶圆中裂纹与划痕的方法，其特征在于，提供一种检测设备，所述检测设备包括设置在暗箱内的光源、晶圆载台和光信号采集系统，所述光源用于照射所述晶圆载台上的待检测LN/LT-SiC晶圆，所述光信号采集系统用于回收光源照射晶圆后产生的透射光信号；

2. 根据权利要求1所述的区分键合或退火后LN/LT-SiC晶圆中裂纹与划痕的方法，其特征在于，所述超纯水的电阻率不低于18.2 MΩ·cm。

3. 根据权利要求1所述的区分键合或退火后LN/LT-SiC晶圆中裂纹与划痕的方法，其特征在于，所述甩干机设置转速3000±1000 r/min，...

【技术特征摘要】

1.一种区分键合或退火后ln/lt-sic晶圆中裂纹与划痕的方法，其特征在于，提供一种检测设备，所述检测设备包括设置在暗箱内的光源、晶圆载台和光信号采集系统，所述光源用于照射所述晶圆载台上的待检测ln/lt-sic晶圆，所述光信号采集系统用于回收光源照射晶圆后产生的透射光信号；

2. 根据权利要求1所述的区分键合或退火后ln/lt-sic晶圆中裂纹与划痕的方法，其特征在于，所述超纯水的电阻率不低于18.2 mω·cm。

3. 根据权利要求1所述的区分键合或退火后ln/lt-sic晶圆中裂纹与划痕的方法，其特征在于，所述甩干机设置转速3000±1000 r/min，甩干时间30±10 s去除表面残留水分。

4. 根据权利要求1所述的区分...

【专利技术属性】
技术研发人员：王奇，薛成龙，华千慧，柏文文，王含冠，国洪晨，李昕，杨朋辉，朱霄，
申请(专利权)人：达波科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：