一种单相La-Bi-B基微波介质陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种单相La‑Bi‑B基微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于功能陶瓷材料技术领域，分子式为La1‑xBixBO3，0≤x≤0.12；其制备方法包括：以La2O3、B2O3和Bi2O3为原料在水中球磨，烘干，得原料粉末；将原料粉末升温至930‑960℃煅烧，然后于水中球磨混匀，烘干，制得预烧料；将预烧料与粘合剂混合造粒，得生坯粒，将生坯粒压制成型，制得生坯体；将生坯体置于1050‑1100℃条件下煅烧，制得。本发明专利技术中在LaBO3陶瓷体系中实现了Bi3+对La3+的纯相取代，并在低于铜电极熔点的烧结温度下保持了出色的微波介电性能，可作为微波频段下泄漏模式介质谐振腔天线的优质基板材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功能陶瓷材料，具体涉及一种单相la-bi-b基微波介质陶瓷材料及其制备方法。

技术介绍

1、随着现代无线通信技术的发展，高频和远距离传输已成为未来亟待探索的需求。实现这些目标为天线作为无线通信的换能器元件带来了蓬勃发展的机遇。在众多天线应用频段中，ku波段具有天然优势，这恰恰符合天线的发展趋势。ku波段是指频率为12-18ghz的无线电波频段，可应用于卫星通信、广播、机场探测雷达等领域。该频段的天线存在诸多问题和挑战，包括方向性难以控制、响应速度慢、效率低、信号传输稳定性差等。作为天线基板材料的微波介质陶瓷显示出巨大的潜力，其出色的介电性能意味着有机会解决ku波段天线暴露出的诸多问题。

2、常见陶瓷系统包括钼酸盐、硼酸盐、铌酸盐和钒酸盐等。其中labo3陶瓷的微波介电性能优异，具体在1200-1300℃的烧结温度下表现出的微波介电性能分别为 εr= 12.5，q× f= 53000 ghz， τf= -52 ppm/°c。然而，如此高的烧结温度无法本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单相La-Bi-B基微波介质陶瓷材料，其特征在于，其分子式为La1-xBixBO3，其中0≤x≤0.12。

2.权利要求1所述的单相La-Bi-B基微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.如权利要求2所述的单相La-Bi-B基微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）和步骤（2）中烘干温度为60-100℃。

4.如权利要求2所述的单相La-Bi-B基微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中升温速率为1-3℃/min，降温速率为1-3℃/min。

5.如权利要求2所述的单相La-Bi-B基微波介...

【技术特征摘要】

1.一种单相la-bi-b基微波介质陶瓷材料，其特征在于，其分子式为la1-xbixbo3，其中0≤x≤0.12。

2.权利要求1所述的单相la-bi-b基微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

3.如权利要求2所述的单相la-bi-b基微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）和步骤（2）中烘干温度为60-100℃。

4.如权利要求2所述的单相la-bi-b基微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中升温速率为1-3℃/min，降温速率为1-3℃/min。

5.如权利要求2所述的单相...

【专利技术属性】
技术研发人员：李馥余，李子腾，雍才富，盖云铄，谢孝锦，罗望，高凡，尹浩宇，
申请(专利权)人：成都理工大学，
类型：发明
国别省市：