一种谐振频率温度系数近零且热膨胀系数可调的微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于电子信息功能陶瓷材料技术领域，具体为一种谐振频率温度系数近零且热膨胀系数可调的微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用。其特征在于，其化学式为CaY2‑xYbxGe3O10(0≤x＜0.5)或CaY2Ge3‑ySiyO10(0≤y＜0.6)。该陶瓷的谐振频率温度系数范围为‑30～‑1ppm/℃，热膨胀系数4～14ppm/℃，品质因数Q×f≥90000GHz，介电常数≤10.4。能够很好的满足当前移动通信技术领域对材料温度稳定性日趋严苛的要求，不仅具有较高的品质因数和较低的介电常数，其谐振频率温度系数可调节为自近零且热膨胀系数可调，从而满足器件高频、集成、多样化的应用需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子信息功能陶瓷材料，具体涉及一种谐振频率温度系数近零且热膨胀系数可调的微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用。

技术介绍

1、微波介质陶瓷是指应用于微波频段(300mhz～300ghz)电路中作为介质的陶瓷材料。随着通讯技术的不断发展，应用的微波频段不断提高。物联网的发展要求更高的信号传输质量，更快的信号传输速率。而低介电常数介质材料，可显著提高信号传输速率、信号传输质量，减少高频段下器件运行产生的热损耗。

2、为满足各类无线通信器件日益增长的高频化、集成化和小型化需求，其谐振频率温度系数需要近零，但一般的微波介质陶瓷自身谐振频率温度系数不近零，需要添加谐振频率温度系数调控剂进行调节，如具有负谐振频率温度系数的微波介质陶瓷，往往通过添加tio2等具有较大正谐振频率温度系数的材料作为调控剂使得自身谐振频率温度系数近零，但是这通常会引入杂相，导致品质因数恶化，因此为调节介质陶瓷材料的谐振频率温度系数，最好从材料本身的结构入手进行调节，从而在保证品质因数的同时，使得谐振频率温度系数近零。同时微波介质陶瓷在制备器件时往往需要与其他材料共烧，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种谐振频率温度系数近零且热膨胀系数可调的微波介质陶瓷材料，其特征在于，其化学式为CaY2-xYbxGe3O10，0≤x＜0.5，或者为CaY2Ge3-ySiyO10，0≤y＜0.6。

2.根据权利要求1所述的谐振频率温度系数近零且热膨胀系数可调的微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述陶瓷的谐振频率温度系数范围为-30～-1ppm/℃，品质因数Q×f≥90000GHz，热膨胀系数为4～14ppm/℃，介电常数εr-mea≤10.4。

3.一种权利要求1或2所述的谐振频率温度系数近零且热膨胀系数可调的微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

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【技术特征摘要】

1.一种谐振频率温度系数近零且热膨胀系数可调的微波介质陶瓷材料，其特征在于，其化学式为cay2-xybxge3o10，0≤x＜0.5，或者为cay2ge3-ysiyo10，0≤y＜0.6。

2.根据权利要求1所述的谐振频率温度系数近零且热膨胀系数可调的微波介质陶瓷材料，其特征在于，所述陶瓷的谐振频率温度系数范围为-30～-1ppm/℃，品质因数q×f≥90000ghz，热膨胀系数为4～14ppm/℃，介电常数εr-mea≤10.4。

3.一种权利要求1或2所述的谐振频率温度系数近零且热膨胀系数可调的微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

4.根据权利要求3所述的谐振频率温度系数近零且热膨胀系数可调的微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述cay2-xybxge3o10或cay2ge3-ysiyo10中ca的原料为caco3，y的原料为y2o3，yb的原料为yb2o3，ge的原料为geo2，si的原料为sio2。

5.根据权利要求3所述的谐振频率温度系数近零且热膨胀系数可调的微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，步骤s2中...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕文中，刘耀东，雷文，成名飞，张贵新，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：

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