【技术实现步骤摘要】
本文中提供的实施例公开了一种带电粒子束检查设备，并且更具体地公开了一种包括用于预调节晶片的温度的热调节站的粒子束检查设备。
技术介绍
1、当制造半导体集成电路(ic)芯片时，在制造过程中，图案缺陷或不请自来的颗粒(残留物)不可避免地出现在晶片或掩模上，从而降低了良率。例如，对于具有较小关键特征尺寸的图案(其已经被采用以满足ic芯片的越来越先进的性能要求)，不请自来的颗粒可能会很麻烦。
2、具有带电粒子束的图案检查工具已经用于检测缺陷或不请自来的颗粒。这些工具通常采用扫描电子显微镜(sem)。在sem中，具有相对较高能量的一次电子束被减速以便以相对较低的着陆能量着陆在样品上并且被聚焦，以在其上形成探测点。由于这种聚焦的一次电子探测点，将从表面生成二次电子。二次电子可以包括由于一次电子与样品的相互作用而产生的反向散射电子、二次电子或俄歇电子。通过在样品表面之上扫描探测点并且收集二次电子，图案检查工具可以获取样品表面的图像。
3、在检查工具的操作期间，晶片通常由晶片台保持。检查工具可以包括用于将晶片台和晶片相对于电子束...
【技术保护点】
1.一种带电粒子束设备，包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器执行分析所述多个结构的所述一个或多个特性包括：
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述多个结构的所述一个或多个特性包括所述多个结构的位置。
4.根据权利要求2所述的设备，其中所述多个结构的所述一个或多个特性包括所述多个结构之间的距离。
5.根据权利要求2所述的设备，其中所述参考数据是图形设计系统GDS数据，所述GDS数据与所述晶片的已知温度相关联。
6.根据权利要求2所述的设备，其中所述参考数据包括先前分析的晶片的所确定的温度特性。<...
【技术特征摘要】
1.一种带电粒子束设备，包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器执行分析所述多个结构的所述一个或多个特性包括：
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述多个结构的所述一个或多个特性包括所述多个结构的位置。
4.根据权利要求2所述的设备，其中所述多个结构的所述一个或多个特性包括所述多个结构之间的距离。
5.根据权利要求2所述的设备，其中所述参考数据是图形设计系统gds数据，所述gds数据与所述晶片的已知温度相关联。
6.根据权利要求2所述的设备，其中所述参考数据包括先前分析的晶片的所确定的温度特性。
7.根据权利要求1所述的设备，其中所述控制器执行分析所述多个结构的所述一个或多个特性包括：
8.根据权利要求7所述的设备，其中所述多个结构的所述一个或多个特性包括所述多个...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·范赫门，J·戈斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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