【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其制作方法、电子设备。
技术介绍
1、基于gan的hemt(high electron mobility transistor，高电子迁移率晶体管)器件具有高频、高功率、高效率的特点，并且还具有低热耗散的能力，可以满足射频技术所需的大功率、高频、大带宽的要求，使得基于gan的hemt器件在5g通信领域得到越来越多的应用。
2、然而基于gan的hemt器件在较大的漏极应力和栅极应力下进行关断时，hemt器件沟道中的电子容易被外延层里面的缺陷捕获，使得漏极电流在基于gan的hemt器件关断后难以及时的恢复到初始状态。
3、目前为了解决hemt器件开关切换漏极电流恢复较慢的问题，可采用在hemt器件的外延层中设置导电通道给沟道补充电子的方式，使得沟道中电子得到补充，有助于漏极电流快速恢复，但是导电通道在给沟道补充电子的同时，由于导电通道的导电性，容易导致源极和漏极之间的漏电变大，从而导致hemt器件的可靠性变差。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一部分嵌设于所述衬底靠近所述外延层的表面，在所述衬底的厚度方向上，所述衬底中与所述第一部分处于相同高度的部分形成所述第二部分。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一部分的材料包括离子注入的衬底材料，且所述第一部分的离子浓度大于所述第二部分的离子浓度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层包括设置于所述衬底上的成核层，所述第一部分设置于所述成核层与所述衬底之间，所述成核层中未覆盖所述第一部分的部分形成
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一部分嵌设于所述衬底靠近所述外延层的表面，在所述衬底的厚度方向上，所述衬底中与所述第一部分处于相同高度的部分形成所述第二部分。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一部分的材料包括离子注入的衬底材料，且所述第一部分的离子浓度大于所述第二部分的离子浓度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层包括设置于所述衬底上的成核层，所述第一部分设置于所述成核层与所述衬底之间，所述成核层中未覆盖所述第一部分的部分形成所述第二部分。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一部分的材料包括掺杂的成核层材料，且所述第一部分的掺杂浓度大于所述第二部分的掺杂浓度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层包括设置于所述衬底上的缓冲层，所述第一部分设置于所述缓冲层与所述衬底之间，所述缓冲层中未覆盖所述第一部分的部分形成所述第二部分。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一部分具有岛状结构，所述岛状结构包括沿着所述衬底靠近所述外延层的表面排布的多个岛状凸起。
8.根据权利要求6或7所述的半导体器件，其特征在于，所述第一部分的材料包括aln、algan，所述第二部分的材料包括gan、algan。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：胡彬，段焕涛，胡荟兰，倪茹雪，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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