一种电池的抗衰减膜层及其制备方法技术

本发明专利技术属于太阳能电池抗衰技术领域，提供了一种电池的抗衰减膜层及其制备方法，抗衰减膜层包括在晶硅的上表面从上至下依次设置的至少一层氧化硅层、至少两层氮氧化硅、至少三层氮化硅层、结构层一、至少两层氧化铝层和掺杂层，所述结构层一的折射率为1.8~2.1，最底层氮化硅的折射率为2.4~3.0。通过对最底层氧化铝层进行暗退火，降低氧化铝中的氢含量和氮化硅三膜层间的氢含量；氮化硅层三的高折射率增使短波紫外光在该膜层中的寄生吸收收占比增加，减少紫外光的入射量。本发明专利技术通过降低氢向硅片体内传导速率、依次降低界面处游离的氢浓度含量、以及减少紫外光的穿透等角度进行改善，实现电池片的抗紫外衰减。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池抗衰，具体涉及一种电池的抗衰减膜层及其制备方法。

技术介绍

1、电池性能的衰减有以下几种机理解释模型：

2、1、uv衰减机理：光子能量大于3.5ev的紫外光可以使si~h断裂，导致表面复合增加；

3、2、氢诱导衰减模型过程一：高温丝网烧结或低温退火过程中，钝化膜层中的氢向硅片体内扩散，氢含量上升导致硅片体电阻率上升；

4、3、氢诱导衰减模型过程二：alox厚度偏薄，高温烧结或低温退火过程中，sinx中的h原子很容易通过alox向硅片体内扩散，导致硅片体电阻率上升；

5、4、光学衰减模型；减反射膜层和氧化铝膜层对紫外光的透射率较大，紫外光对硅和氧化铝界面处的si~h断裂比例增加，致使表面复合增加。

6、短波段光穿透过氮化硅膜层、穿透过氧化铝膜层达到正面掺杂层太多，致使紫外光对掺杂层的氢键断裂较多的地方越接近掺杂层，导致游离的高浓度的氢越接近掺杂层和硅片，致使向体内扩散氢含量上升导致硅片体电阻率上升，引发发电功率衰减。

7、因此，针对以上衰减模型，亟需提供一种抗衰减本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电池的抗衰减膜层，包括在晶硅的上表面从上至下依次设置的氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层、氧化铝层和掺杂层，其特征在于：所述氧化硅层至少为一层，所述氮氧化硅层至少为两层，从上至下分别为氮氧化硅层一和氮氧化硅层二，所述氮化硅层至少为三层，从上至下分别为氮化硅层一、氮化硅层二和氮化硅层三；

2.根据权利要求1所述的一种电池的抗衰减膜层，其特征在于：所述氧化铝层至少为两层，分别为上氧化铝和下氧化铝层，所述下氧化铝层的厚度为1.0nm~3nm，所述上氧化铝层的厚度为3nm~6nm，所述下氧化铝层沉积后，在500℃~700℃无氧退火，退火时间10min~30min；

3...

【技术特征摘要】

1.一种电池的抗衰减膜层，包括在晶硅的上表面从上至下依次设置的氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层、氧化铝层和掺杂层，其特征在于：所述氧化硅层至少为一层，所述氮氧化硅层至少为两层，从上至下分别为氮氧化硅层一和氮氧化硅层二，所述氮化硅层至少为三层，从上至下分别为氮化硅层一、氮化硅层二和氮化硅层三；

2.根据权利要求1所述的一种电池的抗衰减膜层，其特征在于：所述氧化铝层至少为两层，分别为上氧化铝和下氧化铝层，所述下氧化铝层的厚度为1.0nm~3nm，所述上氧化铝层的厚度为3nm~6nm，所述下氧化铝层沉积后，在500℃~700℃无氧退火，退火时间10min~30min；

3.根据权利要求1所述的一种电池的抗衰减膜层，其特征在于：所述氮化硅层为三层时，所述氮化硅层一的厚度为8nm~25nm，所述氮化硅层二的厚度为8nm~15nm，所述氮化硅层三的厚度为10nm~18nm；

4.根据权利要求1-3任一项所述的一种电池的抗衰减膜层，其特征在于：该抗衰减膜层在短波段365nm处的反射率为5%-12%。

5.根据权利要求1~3任一项所述的一种电池的抗衰减膜层，其特征在于：所述电池为topcon电池、bc电池或...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭世成，张明明，付少剑，葛宏豪，王方圆，金淑雅，潘丹丹，丁田力，
申请(专利权)人：淮安捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：