【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏，尤其涉及一种太阳能电池和光伏组件。
技术介绍
1、太阳能电池制作过程中，需要将硅片进行清洗、制绒、掺杂、刻蚀等多个工艺步骤。其中，在利用“水上漂”的方式或链式刻蚀设备，对电池片进行清洗、刻蚀等工艺步骤时，“水上漂”的方式即电池片漂浮在湿法液体(清洗液或刻蚀液)上移动，通过湿法液体清洗或刻蚀电池片与液体接触的下表面和侧面；与此同时，需要在电池片的背离下方液面的上表面上形成水膜以保护电池片的上表面不与下方的液体接触，避免电池片上表面被过度清洗或刻蚀，影响电池片性能。但电池片上方的水膜存在保护效果不佳的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种太阳能电池，以改善水膜对电池片的保护效果，减少对太阳能电池性能的不良影响。
2、第一方面，本专利技术提供一种太阳能电池，包括硅基底，硅基底包括相对的第一面和第二面以及连接第一面和第二面的第一侧面；
3、第一面上与第一侧面相接的边缘为凹槽区域，凹槽区域包括多个凹槽，多个凹槽沿边缘的长度方向排布；所述凹槽...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括硅基底，所述硅基底包括相对的第一面和第二面以及连接所述第一面和所述第二面的第一侧面；
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述凹槽的延伸方向与所述第一面和所述第一侧面相接的边之间存在夹角，所述夹角的范围为30°～70°。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在垂直于所述第一侧面的方向上，所述凹槽区域的宽度小于等于100μm。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在所述硅基底的厚度方向上，所述凹槽的深度小于等于3μm。
5.根据权利要求1所述的太阳能电...
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括硅基底，所述硅基底包括相对的第一面和第二面以及连接所述第一面和所述第二面的第一侧面；
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述凹槽的延伸方向与所述第一面和所述第一侧面相接的边之间存在夹角，所述夹角的范围为30°～70°。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在垂直于所述第一侧面的方向上，所述凹槽区域的宽度小于等于100μm。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在所述硅基底的厚度方向上，所述凹槽的深度小于等于3μm。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一面上具有位于所述凹槽内的多个第一金字塔结构以及位于所述凹槽外的多个第二金字塔结构，所述第一金字塔结构的一维尺寸大于所述第二金字塔结构的一维尺寸。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池还包括设置于所述第一面上的功能层；位于所述凹槽内的功能层的厚度大于位于所述凹槽外的功能层的厚度。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，沿远离所述硅基底的方向，所述功能层包括第一钝化减反层；所述第一钝化减反层包括层叠设置的第一氧化铝层和第一氮化硅层；
8.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：张文库，赵赞良，黄超，
申请(专利权)人：隆基绿能光伏科技西咸新区有限公司，
类型：发明
国别省市：
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