一种缺陷态氧化钨包覆铁酸铋纳米材料的制备及其压电光催化应用制造技术

技术编号:46202362 阅读:9 留言:0更新日期:2025-08-26 19:10
本发明专利技术属于压电光催化领域,涉及一种缺陷态氧化钨包覆铁酸铋纳米材料的制备及其压电光催化应用。本发明专利技术首先通过共沉淀法制备出铁酸铋纳米材料,再通过与钨酸混合后在氢气中煅烧制备出一种缺陷态氧化钨包覆的铁酸铋纳米材料(WO3‑x/BFO),WO3‑x/BFO不仅对于太阳光吸收能力显著提升,同时异质结构以及压电势作用都有利于光生载流子的有效分离,显著增强压电光催化性能。在超声和光的协同作用下,WO3‑x/BFO可实现罗丹明B的高效降解,降解速率常数分别是WO3/BFO和BFO的2.03和21.22倍。本发明专利技术阐明了一种缺陷态氧化钨包覆铁酸铋纳米材料的制备方法以及在压电光催化降解有机污染物的应用,工艺流程简单,应用前景广泛。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于压电光催化领域,具体涉及到一种缺陷态氧化钨包覆铁酸铋纳米材料的制备以及该材料在压电光催化领域降解有机污染物的应用。


技术介绍

1、印染、石化、制药等工业中排放的废水中含有大量的有机物,其化学结构稳定、生物毒性强,且往往伴随着重金属污染。常规的生物法因微生物毒性难以奏效,而物理吸附法或沉降法无法直接去除污染物,需要进行额外的降解处理,且由于制造和再生成本较高,难以广泛应用。因此,开发一种低成本、绿色高效的清洁方法来治理水污染迫在眉睫。

2、太阳能是一种低成本、可再生的清洁能源,而光催化技术是一种能将太阳能转换成化学能,进而实现水污染绿色环保的处理方法。光催化技术的主要过程是:1)光催化材料吸收光能并激发产生电子和空穴;2)电子和空穴迁移到催化剂表面;3)迁移到催化剂表面的电子和空穴分别参与氧化还原反应。然而,在半导体光催化反应中,激发出的电子和空穴由于受到较大的库伦引力的作用,且其在催化剂体相或表面的结合速率要大于其迁移速率,这些因素导致了电子和空穴的重组速率快,对光催化活性产生了不利影响,阻碍了其实际应用。p>

3、为了解本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种缺陷态氧化钨包覆铁酸铋纳米材料的制备及其压电光催化应用,其特征在于制备和应用方法如下步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:

【技术特征摘要】

1.一种缺陷态氧化钨包覆铁酸铋纳米材料的制备及其压电光催化应用,其特征在于制备和应用方法如下步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:

4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈前刘丹青邹鹏飞李娜
申请(专利权)人:哈尔滨理工大学
类型:发明
国别省市:

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