一种背接触电池及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种背接触电池及其制造方法，涉及光伏技术领域，以提高背接触电池的工作性能。背接触电池包括半导体基底、第一掺杂半导体部和第二掺杂半导体部。在第一面中，至少一个第二区域包括互不交叠的第一子区域和第二子区域。第一子区域的表面上具有第一纹理结构，第二子区域的表面上具有第二纹理结构，第一纹理结构的平均塔基尺寸小于第二纹理结构的平均塔基尺寸。第一掺杂半导体部至少设置于第一区域。第二掺杂半导体部至少设置于第二区域。第二掺杂半导体部和第一掺杂半导体部的导电类型相反。第一纹理结构和第二纹理结构的平均塔基尺寸的差值大于等于5μm，且第一纹理结构和第二纹理结构的平均塔基尺寸的差值小于等于30μm。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏，尤其涉及一种背接触电池及其制造方法。

技术介绍

1、太阳能电池是一种能够将太阳的光能转化为电能的装置。具体的，在太阳能电池处于工作状态下，太阳光照在太阳能电池的半导体p-n结上，形成新的空穴-电子对，在p-n结内建电场的作用下，光生空穴流向p区，光生电子流向n区，接通电路后就能够产生电流。其中，正电极和负电极都处于电池的背面的太阳能电池为背接触电池。与双面接触太阳能电池相比，该背接触电池的正面没有金属电极的遮挡，使得背接触电池的向光面一侧具有更高的光线利用率，因此背接触电池具有更高的短路电流和光电转换效率，是目前实现高效晶体硅电池的技术方向之一。

2、但是，现有的背接触电池中，同一导电类型的掺杂半导体部的接触性能、钝化效果难以同时达到较高水平，导致背接触电池的工作性能不佳。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种背接触电池及其制造方法，在半导体基底中用于设置同一第二掺杂半导体部的第二区域至少包括第一子区域和第二子区域，第一子区域和第二子区域的表面上设置有平均塔基尺寸不同本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背接触电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述背接触电池还包括第一电极；所述第一电极设置于所述第二掺杂半导体部背离所述半导体基底一侧的部分上，且与所述第二掺杂半导体部欧姆接触；所述第一电极在所述第一面上的正投影的至少部分区域位于所述第一子区域内。

3.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，在所述第二掺杂半导体部与所述半导体基底的导电类型相反的情况下，所述第二子区域在所述第二区域内的面积占比大于等于20％、且小于等于40％；

4.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述第一区域和所述第二区域均沿...

【技术特征摘要】

1.一种背接触电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述背接触电池还包括第一电极；所述第一电极设置于所述第二掺杂半导体部背离所述半导体基底一侧的部分上，且与所述第二掺杂半导体部欧姆接触；所述第一电极在所述第一面上的正投影的至少部分区域位于所述第一子区域内。

3.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，在所述第二掺杂半导体部与所述半导体基底的导电类型相反的情况下，所述第二子区域在所述第二区域内的面积占比大于等于20％、且小于等于40％；

4.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述第一区域和所述第二区域均沿第一方向延伸、且沿第二方向间隔分布，所述第一方向不同于所述第二方向；所述第一子区域和所述第二子区域均沿所述第一方向延伸、且沿所述第二方向间隔分布，所述第一子区域在所述第二方向上的尺寸大于等于40μm、且小于等于130μm。

5.根据权利要求2所述的背接触电池，其特征在于，所述第一电极包括多个集电电极；所述第一电极包括的不同所述集电电极均沿第一方向延伸、且沿第二方向间隔分布，所述第一方向不同于所述第二方向；

6.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述背接触电池还包括表面钝化层；所述表面钝化层至少设置于所述第一掺杂半导体部背离所述半导体基底的一侧、以及所述第二掺杂半导体部背离所述半导体基底的一侧；所述表面钝化层在所述第一面上的正投影的至少部分区域位于所述第二子区域内。

7.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，在所述第一面中，位于所述第一区域和所述第二区域之间的区域为第三区域；所述第一掺杂半导体部还设置于所述第三区域，且所述第二掺杂半导体部设置于所述第二区域上、并延伸覆盖至所述第一掺杂半导体部对应所述第三区域的部分上；所述背接触电池还包括绝缘层；所述绝缘层至少沿所述半导体基底的厚度方向设置在所述第一掺杂半导体部和所述第二掺杂半导体部之间；

【专利技术属性】
技术研发人员：杨建超，唐喜颜，王聪，罗飞，叶枫，方亮，徐希翔，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：

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