钴掺杂的高强度铍硅合金及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种钴掺杂的高强度铍硅合金，所述合金成份以质量百分比计，硅含量为5‑12％，钴含量为0.5‑3％，余量为铍及不可避免的杂质；制备方法包括以下步骤，配料、抽真空、气体置换、熔炼、降温，待反应结束后，对所述坩埚进行降温，得到钴掺杂铍硅合金；本发明专利技术制备得到的合金通过钴元素梯度掺杂（0.5‑3.0 wt%）结合真空悬浮熔炼技术（压力≤5×10‑3 Pa），辅以电磁搅拌（频率20‑50 kHz），调控合金中CoBeSi纳米析出相的分布，实现晶界钉扎强化与位错运动阻滞的协同效应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及掺杂铍合金制备，尤其涉及一种钴掺杂的高强度铍硅合金及其制备方法。

技术介绍

1、铍硅合金因其轻质、高强度的特性，广泛应用于航空航天及核工业领域。然而，其本征脆性及高温强度不足限制了其在高应力、高温环境下的应用。现有技术中，通常采用al、mg等轻金属元素掺杂以改善性能，但存在固溶度低、易形成脆性相等问题（如cn201711459938.x）。此外，传统熔铸工艺易引入氧化物夹杂，导致材料性能波动（如cn202210389953.6）。

2、专利cn202410361524.7公开了一种铍硅合金的制备方法，通过优化熔炼温度改善组织均匀性，但未解决高温强度不足及韧性提升有限的问题。

技术实现思路

1、鉴于以上缺陷，本专利技术提出一种钴掺杂的高强度铍硅合金，硅含量为5-12％，钴含量为0.5-3％，余量为铍。

2、本专利技术还提出一种钴掺杂的高强度铍硅合金制备方法，包括以下步骤：

3、配料：按高纯铍片：高纯硅颗粒：高纯钴颗粒重量比为100：(5-12)：(0.5-3)配本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钴掺杂的高强度铍硅合金，其特征在于所述合金成份以质量百分比计，硅含量为5-12％，钴含量为0.5-3％，余量为铍。

2.如权利要求1所述的钴掺杂的高强度铍硅合金，其特征在于所述合金成份以质量百分比计，硅含量为6-10％，钴含量为0.8-1.5％，余量为铍及不可避免的杂质。

3.一种钴掺杂的高强度铍硅合金制备方法，其特征在于包括以下步骤：

4.如权利要求3所述的钴掺杂的高强度铍硅合金制备方法，其特征在于：所述高纯铍锭的铍含量不低于99.99%、单晶硅的硅含量不低于99.999%、钴粉的粒径≤50 μm。

5.采用如权利要求3-4之一所...

【技术特征摘要】

1.一种钴掺杂的高强度铍硅合金，其特征在于所述合金成份以质量百分比计，硅含量为5-12％，钴含量为0.5-3％，余量为铍。

2.如权利要求1所述的钴掺杂的高强度铍硅合金，其特征在于所述合金成份以质量百分比计，硅含量为6-10％，钴含量为0.8-1.5％，余量为铍及不可避免的杂质。

3.一种钴掺杂的高强度铍硅合金制备方法，其特征在于包括以下步骤：

4.如权利要求3所述的钴掺杂的高强度铍硅合金制备方法，其特征在于：所述高纯铍锭的铍含量不低于99.99%、单晶硅的硅含...

【专利技术属性】
技术研发人员：何福莉，王东新，罗文，马晓波，杨兆鹏，王杰，侯君祎，张进宝，
申请(专利权)人：中色宁夏东方集团有限公司，
类型：发明
国别省市：