聚合物偶合接枝改性二氧化硅的制备方法及应用技术

本发明专利技术提供一种聚合物偶合接枝改性二氧化硅的制备方法及应用，涉及改性二氧化硅的制备技术领域。聚合物偶合接枝改性二氧化硅的制备方法，包括如下步骤：提供硅烷偶联剂，使用所述硅烷偶联剂对纳米二氧化硅表面进行改性，获得乙烯基官能化纳米二氧化硅；提供具有端羟基的聚合物，对所述具有端羟基的聚合物进行端巯基化处理，得到具有端巯基的聚合物；所述乙烯基官能化纳米二氧化硅与所述具有端巯基的聚合物通过点击化学反应得到聚合物偶合接枝改性二氧化硅纳米粒子。聚合物偶合接枝改性的二氧化硅改善了纳米二氧化硅颗粒与聚氧化乙烯(PEO)的相容性，因此聚合物偶合接枝改性的二氧化硅在PEO中具有良好的分散性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及改性二氧化硅的制备，具体涉及一种聚合物偶合接枝改性二氧化硅的制备方法及应用。

技术介绍

1、聚合物纳米复合材料是以聚合物为基体连续相，以纳米级填充物为分散相的一种复合材料，具有易加工、摩擦和磨损率小、表面硬度高以及成本低廉等特点，在工业中具有广泛应用。

2、二氧化硅纳米颗粒因为具有很好的防水、抗污、隔热以及较高的热稳定性，常作为纳米级填充物制备复合材料。然而，二氧化硅纳米颗粒表面存在大量的不同状态的羟基不饱和残键，亲水疏油，易于团聚，导致分散性差，且界面结合力弱，长期稳定性差，限制了制备的纳米复合材料的性能。因此，提供一种在连续相中分散性能优异的二氧化硅纳米颗粒成为本领域亟需解决的技术问题。

技术实现思路

1、(一)解决的技术问题

2、针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种聚合物偶合接枝改性二氧化硅的制备方法及应用，解决了二氧化硅纳米颗粒在连续相中分散性能较差的技术问题。

3、(二)技术方案

4、为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种聚合物偶合接枝改性二氧化硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂与所述纳米二氧化硅的质量之比为2-5:100。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂选自乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、三乙基乙烯基硅烷或三苯基乙烯基硅烷。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述纳米二氧化硅的粒径为20-100nm，比表面积为120-170m2/g。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，满足以下条件至少之...

【技术特征摘要】

1.一种聚合物偶合接枝改性二氧化硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂与所述纳米二氧化硅的质量之比为2-5:100。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂选自乙烯基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、三乙基乙烯基硅烷或三苯基乙烯基硅烷。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述纳米二氧化硅的粒径为20-100nm，比表面积为120-170m2/g。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，满足以下条件至少之一：

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述端巯基化处理条件为：在氮气保护下，具有端羟基的聚合物、3-巯基丙酸、氯化铪和甲苯，在120-140℃下反应20-28小时后终止反应，重结晶得到具有端巯基聚合物；

7.根据权利要求1所述的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：周启花，王晨阳，李娜，董雄辎，丁中海，路艳珍，傅甜甜，段紫怡，
申请(专利权)人：合肥师范学院，
类型：发明
国别省市：