一种金属卤化物纤维晶体的无纺布膜压电器件的制备方法及其应用技术

一种金属卤化物纤维晶体的无纺布膜压电器件的制备方法及其应用，属于柔性功能器件技术领域利用有机胺配体和无机配体为原料通过溶剂扩散法、溶剂挥发法或降温结晶法促使溶液过饱和并析出金属卤化物纤维晶体；将金属卤化物纤维晶体通过抽滤制备成无纺布纤维膜，纤维晶体之间具有彼此交叉织构的结构特征；无纺布纤维膜两侧外加电极、导线，并由硅胶封装制成无纺布膜压电器件。该器件充分利用了纤维晶体对应力敏感和其本征压电性，应用于柔性压电器件领域，研究器件的人体传感响应能力和水下超声探测能力。本发明专利技术制备过程不需要高温高压的工艺流程，对实验设备要求低，是一种操作简单、低成本的制备方法。

【技术实现步骤摘要】

(一)：本专利技术属于柔性功能器件，涉及一种金属卤化物纤维晶体的无纺布膜压电器件的制备方法及其应用。

技术介绍

0、(二)
技术介绍
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1、压电效应是指压电材料在受到外加应力作用时，在材料的表面产生电荷或电压，也称为正压电效应；相反，当对压电材料施加电场时，压电材料会发生形变和机械应变，被称为逆压电效应。压电效应在传感技术、能量收集与转换、医疗设备等多个领域展现出了其独特的价值。尽管传统的压电晶体材料因其较高的压电系数和较低的经济成本而备受青睐，但它们的高硬度、加工难度以及有限的拉伸性能却成为了它们在日常应用中的瓶颈。这些特性限制了它们在更广泛场景中的使用潜力。

2、金属卤化物作为一种重要的压电材料，因其高压电系数、低声阻抗和可调结构等特性而在多个领域展现出广泛的应用潜力。这些材料的独特之处在于它们能够在化学组成、晶体结构以及不同维度上进行调整，从而为光电性质的调控提供了多样化的平台。然而，金属卤化物单晶体的高脆性和低断裂韧性的确是限制其在柔性电子器件中应用的一个挑战。这种脆性意味着在机械应力作用下，材料容易发生突然的断裂，这对于需要本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种金属卤化物纤维晶体的无纺布膜压电器件的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述一种金属卤化物纤维晶体的无纺布膜压电器件的制备方法，其特征在于所述有机胺配体为含有羟基的手性有机胺，为(R)-3-氨基-1，2-丙二醇、(S)-3-氨基-1，2-丙二醇、D-环己基甘氨酸、(1R，2S)-2-苯基环丙胺、(1S，2R)-氨基茚醇或者(S)-N-Boc-3-羟基吡咯烷；所述无机配体为金属盐碘化铅、溴化铅、溴化镉、溴化铜、氯化铅、氯化镉或者氯化铜。

3.根据权利要求1所述一种金属卤化物纤维晶体的无纺布膜压电器件的制备方法，其特征在于所述金属卤化物纤维...

【技术特征摘要】

1.一种金属卤化物纤维晶体的无纺布膜压电器件的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述一种金属卤化物纤维晶体的无纺布膜压电器件的制备方法，其特征在于所述有机胺配体为含有羟基的手性有机胺，为(r)-3-氨基-1，2-丙二醇、(s)-3-氨基-1，2-丙二醇、d-环己基甘氨酸、(1r，2s)-2-苯基环丙胺、(1s，2r)-氨基茚醇或者(s)-n-boc-3-羟基吡咯烷；所述无机配体为金属盐碘化铅、溴化铅、溴化镉、溴化铜、氯化铅、氯化镉或者氯化铜。

3.根据权利要求1所述一种金属卤化物纤维晶体的无纺布膜压电器件的制备方法，其特征在于所述金属卤化物纤维晶体为非中心对称、一维的纤维状晶体，其空间群为p212121，纤维晶体的直径在1-100微米范围，长度在1-500微米范围。

4.根据权利要求1所述一种金属卤化物纤维晶体的无纺布膜压电器件的制备方法，其特征在于所述金属卤化物纤维晶体具有弹性弯曲能力，在外加应力条件下，能够实现晶体的弯曲变形而不破坏晶体结构，撤去外力后晶体恢复初始状态；所述无纺布纤维膜具有柔韧性，对其施加适当外力可使其弯曲，撤去外力后恢复初始状态而不产生破坏性损坏。

5.根据权利要求1所述一种金属卤化物纤维晶体的无纺布膜压电器件的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟，张瑛，龚勇吉，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：