基于SiAs调控层的太阳能电池及其制备方法技术

本申请提供了一种基于SiAs调控层的太阳能电池及其制备方法。太阳能电池包括依序叠层的Ge衬底、Ge子电池、缓冲层、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、GaInP子电池和叠层接触层，叠层接触层包括n++‑GaAs层和SiAs纳米调控层，n++‑GaAs层位于GaInP子电池之上，SiAs纳米调控层位于n++‑GaAs层之上。通过采用SiAs纳米调控层调控n++‑GaAs接触层的能带结构，从而降低上表面n型接触层与低温银浆电极之间的接触电阻，实现电池整体串联电阻的降低，提高多结太阳电池效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于ⅲ-ⅴ太阳能电池，具体地讲，涉及一种基于sias调控层的太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

1、iii-v太阳电池具有高效、抗辐照能力强的特点，在空间电源中有广泛应用，但是其生产周期长、成本高昂。通过更加快速的印刷技术取代繁琐的光刻和电子束蒸镀技术，同时使用更加廉价的ag和agal浆料代替au、pd等贵重金属是一种有效的低成本方式。将这项技术应用在太阳电池中的关键点在于实现导电浆料与太阳电池接触层间良好的欧姆接触。而n+-gaas通常被用作iii-v太阳电池的正面接触层，但是n+-gaas与导电浆料的欧姆接触特性并不理想。因此需要对器件结构进行改进，提高接触界面的电子浓度，以便实现更好的欧姆接触。

技术实现思路

1、本申请解决的技术问题是：如何实现一种基于sias调控层的太阳能电池及其制备方法。

2、本申请提供了一种基于sias调控层的太阳能电池，所述太阳能电池包括依序叠层的ge衬底、ge子电池、缓冲层、第一隧道结、gaas子电池、第二隧道结、gainp子电池和叠层接触层，所述叠层接触层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于SiAs调控层的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括依序叠层的Ge衬底、Ge子电池、缓冲层、第一隧道结、GaAs子电池、第二隧道结、GaInP子电池和叠层接触层，所述叠层接触层包括n++-GaAs层和SiAs纳米调控层，所述n++-GaAs层位于GaInP子电池之上，所述SiAs纳米调控层位于所述n++-GaAs层之上。

2.根据权利要求1所述的基于SiAs调控层的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括正面电极，所述正面电极位于所述SiAs纳米调控层之上。

3.根据权利要求2所述的基于SiAs调控层的太阳能电池，其特征在于，所述正面电极为银浆...

【技术特征摘要】

1.一种基于sias调控层的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括依序叠层的ge衬底、ge子电池、缓冲层、第一隧道结、gaas子电池、第二隧道结、gainp子电池和叠层接触层，所述叠层接触层包括n++-gaas层和sias纳米调控层，所述n++-gaas层位于gainp子电池之上，所述sias纳米调控层位于所述n++-gaas层之上。

2.根据权利要求1所述的基于sias调控层的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括正面电极，所述正面电极位于所述sias纳米调控层之上。

3.根据权利要求2所述的基于sias调控层的太阳能电池，其特征在于，所述正面电极为银浆料电极。

4.根据权利要求1所述的基于sias调控层的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括背面电极，所述背面电极位于所述ge衬底的背向所述ge子电池的表面。

5.一种基于sias调控层的太阳能电池的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：代盼，李二鹏，孙强健，龙军华，陆书龙，
申请(专利权)人：湖州师范学院，
类型：发明
国别省市：