研磨液、研磨液套剂、研磨方法以及缺陷抑制方法技术

一种研磨液，含有：包含从由氧化铈和氧化硅构成的群中选出的至少一种的磨粒、含氮化合物和水，所述含氮化合物含有从由以下化合物构成的群中选出的至少一种：(I)具有环内含1个氮原子的芳香环和羟基的化合物、(II)具有环内含1个氮原子的芳香环和含氮原子的官能团的化合物、(III)具有环内含2个氮原子的6元环的化合物、(IV)具有苯环和环内含氮原子的环的化合物，以及(V)具有结合有2个以上含氮原子的官能团的苯环。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及研磨液、研磨液套剂以及使用所述研磨液或所述研磨液套剂的研磨方法和缺陷抑制方法。更详细地，本专利技术涉及在作为半导体元件的制造技术的基体表面的平坦化工序(特别是层间绝缘膜、bpsg膜(掺杂硼和磷的二氧化硅膜)等的平坦化工序、可在浅沟道隔离(sti：shallow trench isolation)形成工序等)中使用的研磨液、研磨液套剂以及使用所述研磨液或所述研磨液套剂的研磨方法和缺陷抑制方法。

技术介绍

1、现在的ulsi半导体元件的制造工序中，正在研究开发用于半导体元件的高密度化·微细化的加工技术。作为其加工技术之一，基于cmp(chemical mechanicalpolishing：化学机械研磨)的平坦化技术正在成为在半导体元件的制造工序中进行层间绝缘膜等的平坦化工序、sti形成工序、插塞形成工序、埋入金属配线形成工序(嵌入工序)等时必须的技术。cmp工序(使用cmp技术的平坦化工序)一般通过一边向研磨垫(研磨布)和基体的被研磨材料之间供给cmp用研磨液，一边研磨被研磨材料来进行。

2、cmp工序中，存在使用停止部(包含停止部本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种研磨液，包括：包含从由氧化铈和氧化硅构成的群中选出的至少一种的磨粒、含氮化合物和水，

2.一种研磨液套剂，权利要求1所述的研磨液的构成成分分为第一液和第二液进行保存，

3.一种研磨方法，具备以下工序：使用权利要求1所述的研磨液或将权利要求2所述的研磨液套剂中的所述第一液和所述第二液混合而得到的研磨液，对被研磨面进行研磨。

4.一种缺陷抑制方法，是抑制在包含停止部材料的被研磨面的研磨中产生缺陷的缺陷抑制方法，

【技术特征摘要】

1.一种研磨液，包括：包含从由氧化铈和氧化硅构成的群中选出的至少一种的磨粒、含氮化合物和水，

2.一种研磨液套剂，权利要求1所述的研磨液的构成成分分为第一液和第二液进行保存，

3.一种研磨方法，具备以下工...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥寿登，花野真之，泷泽寿夫，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：