【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于纳米材料异质结，具体涉及一种co3o4/znin2s4/pt异质结阵列及其制备方法和气体传感器。
技术介绍
1、基于半导体气敏材料的电阻式气体传感器作为最常见、应用最广泛的气体传感器之一，在vocs气体检测中具有广阔的应用前景。然而，其气敏性能仍然远远落后于理论值和实际需求。开发高效的挥发性有机化合物气体传感材料已成为近年来的研究热点。
2、从原理上看，电阻式气体传感器的性能主要取决于半导体气敏材料与气体接触时发生的表面吸附反应和伴随的界面电荷转移，从而导致电阻值的变化。因此，提高半导体气敏材料气敏性能的关键在于提高其表面气体吸附活性，提高界面电荷转移效率。从提高表面气体吸附活性的角度来看，设计具有大比表面积和丰富表面活性位点的微/纳米多孔结构是目前最常见的策略。从提高界面电荷转移效率的角度来看，构建异质结构（包括半导体异质结构、半导体金属异质结构等）是一种重要策略。然而，总体而言，在上述提高气体传感性能的策略中，仍有两个关键问题需要解决。
3、首先，在器件结构方面，目前电阻式气体传感器的制造通常涉...
【技术保护点】
1.一种Co3O4/ZnIn2S4/Pt异质结阵列，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的Co3O4/ZnIn2S4/Pt异质结阵列，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的Co3O4/ZnIn2S4/Pt异质结纳米线阵列，其特征在于，
4.权利要求1~3任意一项所述的Co3O4/ZnIn2S4/Pt异质结阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，采用水热法在衬底表面生长Co3O4纳米线阵列的步骤具体包括：
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，
<...【技术特征摘要】
1.一种co3o4/znin2s4/pt异质结阵列，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的co3o4/znin2s4/pt异质结阵列，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的co3o4/znin2s4/pt异质结纳米线阵列，其特征在于，
4.权利要求1~3任意一项所述的co3o4/znin2s4/pt异质结阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，采用水热法在衬底表面生长co3o4纳米线阵列的步骤具体包括：
6...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨勇，朱玉林，尤见贤，李嘉昊，王德华，袁彩雷，
申请(专利权)人：江西师范大学，
类型：发明
国别省市：
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