【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微波辐射成像领域,具体是涉及到一种超材料改进二维镜像综合孔径重建图像的方法及介质。
技术介绍
1、在微波辐射成像领域,二维镜像综合孔径技术通过构建天线相关值与余弦可见度的多对一映射关系,以较少的天线数量实现高分辨率成像,显著降低了系统复杂度。该技术依赖于金属反射板对入射信号的反射作用,通过接收直射信号及其在反射板上的反射信号,形成综合孔径所需的干涉信息。然而,现有技术中,金属反射板的相位反相特性导致转移矩阵中存在负值元素(如“-1”),引发矩阵秩亏问题,严重制约了重建图像的质量。尽管已有研究尝试通过双极化联合或反射板联合测试等方法减少秩亏误差,但这些方案不仅增加了计算复杂度,且未能彻底消除矩阵秩亏,难以实现转移矩阵的满秩状态,从而限制了成像精度的进一步提升。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种超材料改进二维镜像综合孔径重建图像的方法及介质,其目的是解决传统二维镜像综合孔径中金属反射板导致转移矩阵因负值元素引发的秩亏问题,该问题导致欠定方程求解误差大、成像质量低。
< ...【技术保护点】
1.一种超材料改进二维镜像综合孔径重建图像的方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.如权利要求1所述的超材料改进二维镜像综合孔径重建图像的方法,其特征在于,所述磁导体结构包括类十字型上层金属图案、中间介质层及底层金属板。
3.如权利要求2所述的超材料改进二维镜像综合孔径重建图像的方法,其特征在于,所述中间介质层的材料为FR4,介电常数为4.3,正切损耗为0.0025。
4.如权利要求1所述的超材料改进二维镜像综合孔径重建图像的方法,其特征在于,所述磁导体结构的同相反射特性频段为:5.47-8.25 GHz和15.13-16.07 GH
...【技术特征摘要】
1.一种超材料改进二维镜像综合孔径重建图像的方法,其特征在于,包括如下步骤:
2.如权利要求1所述的超材料改进二维镜像综合孔径重建图像的方法,其特征在于,所述磁导体结构包括类十字型上层金属图案、中间介质层及底层金属板。
3.如权利要求2所述的超材料改进二维镜像综合孔径重建图像的方法,其特征在于,所述中间介质层的材料为fr4,介电常数为4.3,正切损耗为0.0025。
4.如权利要求1所述的超材料改进二维镜像综合孔径重建图像的方法,其特征在于,所述磁导体结构的同相反射特性频段为:5.47-8.25 ghz和15.13-16.07 ghz;且反射相位在-90°至+90°范围内。
5.如权利要求1所述的超材料改进二维镜像综合孔径重建图像的方法,其特征在于,计算各天...
【专利技术属性】
技术研发人员:董健,刘文涛,窦昊锋,李一楠,肖程望,何征,吴袁超,
申请(专利权)人:中南大学,
类型:发明
国别省市:
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