一种界面结合改善型铜-石墨复合材料以及防止铜基体偏聚的制备方法技术

本发明专利技术涉及新型复合材料领域，公开了一种界面结合改善型铜‑石墨复合材料以及防止铜基体偏聚的制备方法，该复合材料包括基体粉末和改性剂，基体粉末为铜包覆石墨粉，改性剂为Cr2AlC，改性剂的添加量为总粉末的5～20wt％。制备时，将铜包覆石墨粉和Cr2AlC均匀混合压制坯后烧结，烧结温度为960～1000℃。本发明专利技术不仅改善了铜‑石墨复合材料中铜基体与石墨的界面结合，并且能够防止铜基体在烧结过程中发生严重的偏聚现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及新型复合材料领域，具体涉及一种界面结合改善型铜-石墨复合材料以及防止铜基体偏聚的制备方法。

技术介绍

1、铜-石墨复合材料作为电接触材料、导热材料和摩擦材料广泛应用于航空航天、轨道交通和电子电工等领域。然而，铜与石墨存在界面结合弱的问题，制约了铜-石墨复合材料的导热、导电和力学性能。另外，由于铜与石墨在高温下无法产生有效的互扩散作用，并且二者的润湿性较差，采用粉末冶金工艺制备复合材料时，烧结过程中铜基体容易产生偏聚现象，导致铜基体在铜-石墨复合材料中无法形成良好的网络状结构，并造成石墨颗粒产生团聚现象。

2、然而，想要同时解决铜-石墨复合材料界面结合弱以及铜基体在烧结过程中易发生偏聚的问题并非易事。因为在改善铜与石墨界面结合弱的问题常采用的技术方法中-铜基体合金化或石墨表面处理，采用碳化物形成元素(ti、cr等)对铜基体进行合金化时，只能促进铜基体与石墨之间形成tic或cr3c2界面过渡层，促进铜基体与石墨的界面结合。但是，由于碳化物形成元素(ti、cr等)在铜的溶解度较低，无法阻碍铜基体在烧结过程中产生偏聚现象。另外，若采用碳化本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种界面结合改善型铜-石墨复合材料，其特征在于：包括基体粉末和改性剂，所述基体粉末为铜包覆石墨粉，改性剂为Cr2AlC，改性剂的添加量为总粉末的5～20wt％。

2.根据权利要求1所述的一种界面结合改善型铜-石墨复合材料，其特征在于：所述铜包覆石墨粉中铜的含量≥65wt％。

3.根据权利要求1所述的一种界面结合改善型铜-石墨复合材料，其特征在于：所述Cr2AlC的粒径≤80μm。

4.根据权利要求1～3任一所述的一种界面结合改善型铜-石墨复合材料防止铜基体偏聚的制备方法，其特征在于：铜包覆石墨粉和Cr2AlC均匀混合压制坯后烧结，烧结温度为960～...

【技术特征摘要】

1.一种界面结合改善型铜-石墨复合材料，其特征在于：包括基体粉末和改性剂，所述基体粉末为铜包覆石墨粉，改性剂为cr2alc，改性剂的添加量为总粉末的5～20wt％。

2.根据权利要求1所述的一种界面结合改善型铜-石墨复合材料，其特征在于：所述铜包覆石墨粉中铜的含量≥65wt％。

3.根据权利要求1所述的一种界面结合改善型铜-石墨复合材料，其特征在于：所述cr2alc的粒径≤80μm。

4.根据权利要求1～3任一所述的一种界面结合改善型铜-石墨复合材料防止铜基体偏聚的制备方法，其特征在于：铜包覆石墨粉和cr2alc均匀混合压制坯后烧结，烧结温度为960～1000℃。

5.根据权利要求4所述的一种界面结合改善型铜-石墨复合材料防止铜基体偏聚的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

6.根据权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚玉蓉，余林涛，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：