一种SiC MOSFET器件的驱动电路及方法、驱动芯片技术

本发明专利技术公开了一种SiC MOSFET器件的驱动电路及方法、驱动芯片，其中驱动电路包括开关信号分解模块、电平移位模块、多段式驱动模块，开关信号分解模块用于将输入信号分解为M个开通PWM信号和M个关断PWM信号；电平移位模块用于将M个开通PWM信号和M个关断PWM信号的电压和功率进行放大；多段式驱动模块用于基于放大后的M个开通PWM信号和M个关断PWM信号输出不同大小的驱动电流。本发明专利技术能在SiC MOSFET器件开通与关断过程的各个阶段提供不同大小的驱动电流与驱动电压，既保持了较快的开关速度，也限制了部分开关过程中器件dv/dt、di/dt的大小，抑制了开关过程的EMI与尖峰问题；能在降低尖峰水平的同时有效降低开关损耗与延时，缓解器件在高压高频应用下的开关应力问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于宽禁带功率半导体器件驱动，特别涉及一种sic mosfet器件的驱动电路及方法、驱动芯片。

技术介绍

1、以sic、gan材料为代表的宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、化学性质稳定等特点，使其在光电器件、高频大功率、高温电子器件等方面的应用备受重视。

2、目前，基于sic材料的功率器件以及相关驱动电路是电力电子应用领域的研究重点，相比传统si基igbt器件，sic mosfet器件具有开关频率高、导通电阻小、功率密度高等特点，有望在高压应用领域取代传统的igbt器件。

3、目前，sic mosfet器件应用研究相关的一个重要领域是其驱动芯片的设计，相比传统的驱动芯片，适用于sic mosfet的驱动芯片要求开关频率高，驱动电流大，驱动延时小等特点，这给驱动电路的设计带来许多考验。此外，目前的驱动芯片由于在开关过程中采用相同的驱动电流水平，并不能很好地优化sic mosfet器件的开关过程，当驱动电路采用高驱动速度时，器件会出现高dv/dt，高di/dt本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SiC MOSFET器件的驱动电路，其特征在于，包括开关信号分解模块、电平移位模块、多段式驱动模块，其中：

2. 如权利要求1所述的SiC MOSFET器件的驱动电路，其特征在于：

3. 如权利要求2所述的SiC MOSFET器件的驱动电路，其特征在于：

4. 如权利要求2所述的SiC MOSFET器件的驱动电路，其特征在于：

5. 如权利要求2所述的SiC MOSFET器件的驱动电路，其特征在于：

6. 如权利要求2所述的SiC MOSFET器件的驱动电路，其特征在于：

7. 如权利要求2所述的SiC MO...

【技术特征摘要】

1.一种sic mosfet器件的驱动电路，其特征在于，包括开关信号分解模块、电平移位模块、多段式驱动模块，其中：

2. 如权利要求1所述的sic mosfet器件的驱动电路，其特征在于：

3. 如权利要求2所述的sic mosfet器件的驱动电路，其特征在于：

4. 如权利要求2所述的sic mosfet器件的驱动电路，其特征在于：

5. 如权利要求2所述的sic mosfet器件的驱动电路，其特征在于：

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【专利技术属性】
技术研发人员：黄顺，付星星，李旦，
申请(专利权)人：李旦，
类型：发明
国别省市：