一种纳米花状硫掺杂钴钼氢氧化物吸波材料及其制备方法技术

本发明专利技术属于新型吸波材料技术领域，具体公开了一种纳米花状硫掺杂钴钼氢氧化物吸波材料及其制备方法，包括以下步骤：首先，氯化钴、十六烷基三甲基溴化铵、2‑甲基咪唑、去离子水混合，经离心、洗涤、干燥，得到纳米立方块状的ZIF‑67吸波材料；然后，以ZIF‑67吸波材料为前驱体，钼酸铵刻蚀得到具有空心立方块状的钴钼氢氧化物吸波材料；最后，钴钼氢氧化物吸波材料与硫粉进行水热反应，硫元素掺杂得到纳米花状的硫掺杂钴钼氢氧化物吸波材料。本发明专利技术采用上述一种纳米花状硫掺杂钴钼氢氧化物吸波材料及其制备方法，制备方法简单且安全可靠，所得材料具有更大的比表面积和更小的密度，实现材料对入射电磁波的损耗能力大幅提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及新型吸波材料，尤其是涉及一种纳米花状硫掺杂钴钼氢氧化物吸波材料及其制备方法。

技术介绍

1、随着信息化时代的不断发展，电磁波在日常生活中的应用越来越广泛，给人们的生产生活带来了极大的便利。然而，无所不在的电磁波也带来了一系列问题，不仅会造成电子器件之间的相互干扰，而且给人类的身体健康带来危害。高性能吸波材料是解决电磁波带来的问题的有效途径之一。随着吸波材料的不断发展以及其在吸波领域的应用越来越广泛，人们对其提出了更高的要求，需要满足“薄、轻、宽、强”的新要求。层状氢氧化物是一类传统的二维材料，其独特的片层状结构使其具有高比表面积、丰富的异质界面以及大量的缺陷等特点，使其具有成为优异吸波材料的潜力。但由于其较低的介电常数、磁损耗能力弱等问题，纯钴钼氢氧化物的吸波性能较差。

2、现有技术中，进行元素掺杂是改善材料吸波性能的有效途径之一。掺杂能够产生晶格缺陷、空位，引入更多异质界面，产生更多偶极子极化和界面极化，提升吸波性能。同时能够改善阻抗匹配，减少电磁波在材料表面发生的反射。

技术实现思路

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种纳米花状硫掺杂钴钼氢氧化物吸波材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种纳米花状硫掺杂钴钼氢氧化物吸波材料的制备方法，其特征在于，S1中，所述氯化钴、所述十六烷基三甲基溴化铵和所述去离子水的质量比为0.238～0.714：0.005～0.015：20。

3.根据权利要求1所述的一种纳米花状硫掺杂钴钼氢氧化物吸波材料的制备方法，其特征在于，S2中，所述2-甲基咪唑和所述去离子水的质量比为3～9：70。

4.根据权利要求1所述的一种纳米花状硫掺杂钴钼氢氧化物吸波材料的制备方法，其特征在于，S3中，所述干燥的温度为60℃...

【技术特征摘要】

1.一种纳米花状硫掺杂钴钼氢氧化物吸波材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种纳米花状硫掺杂钴钼氢氧化物吸波材料的制备方法，其特征在于，s1中，所述氯化钴、所述十六烷基三甲基溴化铵和所述去离子水的质量比为0.238～0.714：0.005～0.015：20。

3.根据权利要求1所述的一种纳米花状硫掺杂钴钼氢氧化物吸波材料的制备方法，其特征在于，s2中，所述2-甲基咪唑和所述去离子水的质量比为3～9：70。

4.根据权利要求1所述的一种纳米花状硫掺杂钴钼氢氧化物吸波材料的制备方法，其特征在于，s3中，所述干燥的温度为60℃、时间为12h。

5.根据权利要求1所述的一种纳米花状硫掺杂钴钼氢氧化物吸波材料的制备方法，其特征在于，s4中，所述钼酸铵和所述无水乙醇的质量比为0.03～0.09：...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜超，张明伟，赵子翔，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：发明
国别省市：