【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于氮化镓单晶衬底制作领域，特别是涉及氢化物气相外延（hvpe,hydride vapor phase epitaxy）设备喷淋头的设计，可以实现一个腔体生长多片氮化镓单晶。
技术介绍
1、多片氢化物气相外延（hvpe, hydride vapor phase epitaxy）设备是目前业界降低氮化镓单晶成本的主流方式之一，但目前始终没有商用的多片hvpe设备在市场上大规模应用，主要的原因是最核心的hvpe设备喷淋头的设计、加工和应用面临如下问题：1.结构复杂。托盘盘面iii、v族分布和混合的均匀性，是生产高品质氮化镓单晶的前提条件，为实现这一目标，特别是考虑要抑制hvpe喷淋头处存在强烈的预反应时，往往需要设计非常复杂的喷淋头结构；2.加工难度大，成品精度低。hvpe设备喷淋头主要还是使用石英材料加工，由于其结构的复杂性，石英材料在加工时需要多次焊接和反复退火，在此过程中，喷淋头结构会发生形变，精度变差，导致源气体喷淋方式不如预期，出现诸如：气体流动偏斜、单晶表面气体均匀性局部异常、片间差异、喷嘴单边沉积等问题，导致喷淋效果...
【技术保护点】
1.一种多喷嘴周期性HVPE喷淋头装置，其特征在于，包括自上而下依次设置在机体上的喷淋头机构（101）和石墨托盘机构（102），所述的喷淋头机构（101）包括相对机体固定的且在360°圆周方向上均匀分布的多个喷淋头（111），所述的石墨托盘机构（102）包括与喷淋头（111）数量相同的石墨托盘（201）、上端连接在石墨托盘（201）底面的石墨转轴（202）和连接在石墨转轴（202）下端的石墨托架（203）；所述石墨托盘（201）能够相对一一对应的喷淋头（111）自转，以及石墨托盘（201）能够相对喷淋头机构（101）的轴心线进行公转。
2.根据权利要求1所...
【技术特征摘要】
1.一种多喷嘴周期性hvpe喷淋头装置，其特征在于，包括自上而下依次设置在机体上的喷淋头机构（101）和石墨托盘机构（102），所述的喷淋头机构（101）包括相对机体固定的且在360°圆周方向上均匀分布的多个喷淋头（111），所述的石墨托盘机构（102）包括与喷淋头（111）数量相同的石墨托盘（201）、上端连接在石墨托盘（201）底面的石墨转轴（202）和连接在石墨转轴（202）下端的石墨托架（203）；所述石墨托盘（201）能够相对一一对应的喷淋头（111）自转，以及石墨托盘（201）能够相对喷淋头机构（101）的轴心线进行公转。
2.根据权利要求1所述的一种多喷嘴周期性hvpe喷淋头装置，其特征在于，所述喷淋头（111）采用三个圆管同轴套置形成同心圆结构，两相邻圆管相互之间形成外圈和中圈，在中心部形成内圈，其中内圈流入gacl，外圈流入nh3，中间圈流入n2/h2混合隔离气体。
3.根据权利要求2所述的一种多喷嘴周期性hvpe喷淋头装置，其特征在于，所述喷淋头（111）的各圆管使用石英材料制作，两相邻圆管之间通过连接件（112）进行连接固定；所述喷淋头（111）的外径在30-150 mm，高度30-300 mm。
4.根据权利要求1所述的一种多喷嘴周期性hvpe喷淋头装置，其特征在于，所述石墨托盘机构的石墨托盘（201）、石墨转轴（202）和石墨托架（203）由石墨、石墨镀碳化硅、石墨镀碳化钽或石墨镀pbn材料制作。
5.根据权利要求1所述的一种多喷嘴周期性hvpe喷淋头装置，其特征在于，所述石墨托盘（201）的外径105-130 mm、厚度10-20 mm，能够承载单片2-4英寸氮化镓单晶。
6.根据权利要求1所述的一种多喷嘴周期性hvpe喷淋头装置，其特征在于，所述石墨转轴（202）的直径5-30 mm、长度2-30 mm，转速...
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