一种载流子反转分布的测定方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种载流子反转分布的测定方法和装置，涉及光学技术领域。本发明专利技术载流子反转分布的测量装置包括光电二极管、芯片、透镜及光谱仪，并通过在芯片上下分别设置对应的电极以及电极之间，长度已知的第一电注入区和第二电注入区；本载流子反转分布的测定方法通过依次对测量装置第一电极和第三电极同时施加电流、对第一电极、第二电极和第三电极、第四电极同时施加电流，分析所得到的两种光谱数据I1和I2，进而获得相应的自发辐射光强，代入建立的公式计算出激光芯片的反转因子。本发明专利技术测定方法简单，可以在微观状态下载流子在不同能级上的反转分布情况，并可依此直接预测和表征激光器的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光学，尤其是涉及一种载流子反转分布测定方法和装置。

技术介绍

1、针对半导体发光材料，如ingaas量子阱激光器，载流子反转分布因子是评价和揭示半导体激光器性能的重要物理参数，它可以反映半导体激光器的携带注入能带填充效应和辐射特性。随着材料科学以及专业化制造技术的发展，我们需要通过测量和分析反转因子来优化半导体激光器，其结果对半导体激光器的发展具有重要意义。

2、现有测算载流子反转分布的方法主要有以下几种：其一是通过测量霍尔电压和磁场强度，计算出载流子的迁移率和浓度，推断载流子反转分布情况，该方法对样品的制备和测量条件要求较高；其二是利用短脉冲激光激发半导体材料中的载流子，通过探测其随后的动力学行为来研究载流子反转，该方法需要高精度的激光设备和时间分辨测量技术。

3、公告号为cn 118112399 a的中国专利技术专利公开了高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法，其通过在待测芯片n面电极上设置窗口；使待测芯片保持工作状态，待测芯片量子阱有源区产生自发辐射；使自发辐射成像于待测芯片外部；在待测芯片外部通过光谱仪获取本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种载流子反转分布的测量装置，其特征在于，包括芯片(1)，在所述芯片(1)一侧上方分别设置两个相互独立的第一电极(5)和第二电极(6)，并在芯片(1)同一侧下方对应位置分别设置两个相互独立的第三电极(7)和第四电极(8)；所述第一电极(5)和第三电极(7)之间为长度L的第一电注入区(101)；第二电极(6)和第四电极(8)之间为长度L的第二电注入区(102)；在芯片(1)设置电极的一侧设有用于检测信号的光谱仪(3)；在芯片(1)未设置电极的一侧设置有用于探测芯片(1)端面光束强度的光电二极管(4)。

2.根据权利要求1所述的载流子反转分布的测量装置，其特征在于，在芯片(1...

【技术特征摘要】

1.一种载流子反转分布的测量装置，其特征在于，包括芯片(1)，在所述芯片(1)一侧上方分别设置两个相互独立的第一电极(5)和第二电极(6)，并在芯片(1)同一侧下方对应位置分别设置两个相互独立的第三电极(7)和第四电极(8)；所述第一电极(5)和第三电极(7)之间为长度l的第一电注入区(101)；第二电极(6)和第四电极(8)之间为长度l的第二电注入区(102)；在芯片(1)设置电极的一侧设有用于检测信号的光谱仪(3)；在芯片(1)未设置电极的一侧设置有用于探测芯片(1)端面光束强度的光电二极管(4)。

2.根据权利要求1所述的载流子反转分布的测量装置，其特征在于，在芯片(1)设置电极的一侧顺次设置有第一透镜(l1)、第二透镜(l2)和光纤(2)；所述光纤(2)与光谱仪(3)相连；所述第一透镜(l1)接收芯片(1)发出的光后将其转变成平行光，平行光通过第二透镜(l2)汇聚到光纤(2)，再通过光纤(2)将光信号传导进入光谱仪(3)。

3.根据权利要求1所述的载流子反转分布的测量装置，其特征在于，所述第一电极(5)、第二电极(6)、第三电极(7)和第四电极(8)具有相同的形状和尺寸。

4.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：于庆南，陈梓萱，葛兴，王茹，金增，祁昕炀，侯玉鸣，
申请(专利权)人：无锡学院，
类型：发明
国别省市：