【技术实现步骤摘要】
本申请涉及发光二极管，尤其涉及一种发光波长可控的量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
1、自20世纪80年代量子点合成技术取得突破性进展以来，量子点发光二极管（quantum dot light-emitting diodes, qled）作为新一代显示技术的代表，已逐步从实验室原型阶段迈向商业化应用的新纪元。这一跨越不仅标志着材料科学与电子工程领域的重大进步，更为显示技术带来了前所未有的色彩表现力与能效提升。
2、2008年，随着多色qled器件的成功研制，特别是通过精确调控cdse/zns核壳结构量子点的尺寸，实现了红、橙、黄、绿四种颜色的高亮度发光，这一里程碑式的成就正式开启了量子点在显示
的广泛应用探索。量子点以其独特的量子限域效应，展现出窄带发射、高发光效率、宽色域覆盖等显著优势，被视为下一代显示技术的理想候选者。
3、然而，在qled技术不断演进的过程中，发光光谱线宽较宽和发光波长不稳定等问题逐渐成为制约其进一步发展的关键因素。这些问题直接影响了qled显示设备的色彩纯度、对比度以及长期使用...
【技术保护点】
1.一种发光波长可控的量子点发光二极管，其特征在于，包括基底、底部反射镜、金属导电通道、第一电流扩展层、电流限制层、空穴注入层、量子点发光层、电子注入层、第二电流扩展层、顶部反射镜及顶电极；
2.根据权利要求1所述的发光波长可控的量子点发光二极管，其特征在于，所述底部反射镜或所述顶部反射镜包括滤波层。
3.根据权利要求1所述的发光波长可控的量子点发光二极管，其特征在于，所述开口区域垂直方向上的投影在对应的所述底部反射镜和所述顶部反射镜垂直方向上的投影范围内。
4.根据权利要求1所述的发光波长可控的量子点发光二极管，其特征在于，每个独...
【技术特征摘要】
1.一种发光波长可控的量子点发光二极管，其特征在于，包括基底、底部反射镜、金属导电通道、第一电流扩展层、电流限制层、空穴注入层、量子点发光层、电子注入层、第二电流扩展层、顶部反射镜及顶电极；
2.根据权利要求1所述的发光波长可控的量子点发光二极管，其特征在于，所述底部反射镜或所述顶部反射镜包括滤波层。
3.根据权利要求1所述的发光波长可控的量子点发光二极管，其特征在于，所述开口区域垂直方向上的投影在对应的所述底部反射镜和所述顶部反射镜垂直方向上的投影范围内。
4.根据权利要求1所述的发光波长可控的量子点发光二极管，其特征在于，每个独立的量子点发光二极管包括独立的第二电流扩展层。
5.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨帅，贾思琪，唐兆兵，廖智波，李宁，周德霞，周子明，张天朔，刘亚，孙小卫，
申请(专利权)人：河南省科学院新型显示技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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