一种基于槽线的太赫兹片上功率合成结构制造技术

本发明专利技术公开了一种基于槽线的太赫兹片上功率合成结构，包括差分片上微带线‑槽线转接结构(1)以及片上Vivaldi天线(2)：差分片上微带线‑槽线转接结构(1)包含一条差分馈电的微带线(11)以及开路槽线(12)，片上Vivaldi天线(2)由渐变的金属槽构成，该片上Vivaldi天线(2)与微带线‑槽线转接结构直接相连。所述差分片上微带线‑槽线转接结构(1)的输入端连接两路零度功率合成放大器输出端，使用微带线(11)将差分信号加载到单端开路槽线(12)上，通过在微带线(11)虚地点以及开路槽线点的磁场电场能量转化，将微带线(11)中的差分输出信号转换到开路槽线(12)中，实现宽带差分‑单端转换以及功率合成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基于槽线的太赫兹片上功率合成结构，属于太赫兹集成电路中的无源器件与天线技术。

技术介绍

1、为了满足6g网络对超高容量和传输速率的需求，迫切需要探索毫米波和太赫兹频谱。芯片和器件对于这些频段的开发和利用至关重要。在亚太赫兹频段中，j波段因其丰富的频谱资源而受到广泛关注。多款工作在该频段的通信速率超过10gbps的基于硅基工艺的收发信机已经证明了在亚太赫兹频段实现高速通信的可行性。对于6g太赫兹应用，支持多波束功能的相控阵芯片变得越来越重要。然而，随着工作频率越高，电磁波的波长变短，此时芯片的尺寸相对于电磁波的波长无法忽略，这给设计可扩展的相控阵芯片带来了困难。在本专利技术中，使用差分片上微带线-槽线转接结构以及片上vivaldi天线进行功率合成。本专利技术所提出的片上功率合成结构非常紧凑，其宽度小于工作波长的一半，使其适合用于可扩展的相控阵。

技术实现思路

1、技术问题：工作在200ghz以上的太赫兹收发机大多需要使用片上天线。功率合成网络与片上天线分开设计会带来额外的损耗从而影响系统的带宽本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于槽线的太赫兹片上功率合成结构，其特征在于：包括差分片上微带线-槽线转接结构(1)以及片上Vivaldi天线(2)：差分片上微带线-槽线转接结构(1)包含一条差分馈电的微带线(11)以及开路槽线(12)，片上Vivaldi天线(2)由渐变的金属槽构成，该片上Vivaldi天线(2)与微带线-槽线转接结构直接相连。

2.根据权利要求1所述的一种基于槽线的太赫兹片上功率合成结构，其特征在于：所述差分片上微带线-槽线转接结构(1)的输入端连接两路零度功率合成放大器输出端，利用两路零度功率合成放大器输出端的差分特性，使用微带线(11)将差分信号加载到单端开路槽线(12)上，...

【技术特征摘要】

1.一种基于槽线的太赫兹片上功率合成结构，其特征在于：包括差分片上微带线-槽线转接结构(1)以及片上vivaldi天线(2)：差分片上微带线-槽线转接结构(1)包含一条差分馈电的微带线(11)以及开路槽线(12)，片上vivaldi天线(2)由渐变的金属槽构成，该片上vivaldi天线(2)与微带线-槽线转接结构直接相连。

2.根据权利要求1所述的一种基于槽线的太赫兹片上功率合成结构，其特征在于：所述差分片上微带线-槽线转接结构(1)的输入端连接两路零度功率合成放大器输出端，利用两路零度功率合成放大器输出端的差分特性，使用微带线(11)将差分信号加载到单端开路槽线(12)上，通过在微带线(11)虚地点以及开路槽线点的磁场电场能量转化，将微带线(11)中的差分输出信号转换到开路槽线(12)中，实现宽带差分-单端转换以及功率合成。

3.根据权利要求2所述的一种基于槽线的太赫兹片上功率合成结构，其特征在于：所述的片上vivaldi天线(2)水平排布，能实现一元线阵。

4.根据权利要求2所述的一种基于槽线的太赫兹片上功率合成结构，其特征在于：所述微带线(11)为c形结构，该c形结构的开口两端接连接两路零度功率合成放大器输出端。

【专利技术属性】
技术研发人员：陈喆，严铮，陈继新，洪伟，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：