一种基于二类超晶格的线阵宽带红外谱学检测器制造技术

本发明专利技术涉及光电探测领域，公开了一种基于二类超晶格的线阵宽带红外谱学检测器，其包括：检测器像元面阵，采用面阵或一维线阵T2SL探测器，响应波段覆盖2～15μm；以将入射的光信号转换为电信号；CMOS信号处理电路，检测器像元面阵设置在CMOS信号处理电路的一侧，通过CMOS信号处理电路将一维线阵探测器或开窗的面阵探测器信号进行开窗处理；读出电路设置在CMOS信号处理电路的另一侧，用于将经CMOS信号处理电路开窗处理后的信号输出。本发明专利技术能实现宽波段、高帧频、低噪声的红外光谱信号检测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光电探测，特别是关于一种基于二类超晶格的线阵宽带红外谱学检测器。

技术介绍

1、现有红外光谱学检测器技术已经得到了很大发展，高灵敏度检测器大都基于碲镉汞(hgcdte)材料。这一类探测器需深度制冷（<80 k），系统复杂且成本高；大规模阵列均匀性差，难以实现高帧频（>50 khz）。传统的t2sl（二类超晶格）面阵，受限于读出电路带宽，帧频通常低于10 khz，难以匹配超快激光器（如100 khz重复频率）驱动的超快红外光谱检测的需求。此外，这两类大规模阵红外探测器迄今绝大部分都是窄带，只适合被动信号检测（例如成像）、典型工作波段为3.7-4.8μm (中波)或8-12μm(长波)，而在4.8-8μm波段无产品。此外，主流的中红外谱学阵列检测器，工作波长范围较宽但检测像元数目较少（最大128×2像元，因而光谱分辨率低）。

技术实现思路

1、针对上述问题，本专利技术的目的是提供一种基于二类超晶格的线阵宽带红外谱学检测器，其能实现宽波段（2～15 μm）、高帧频（≥100 khz）、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于二类超晶格的线阵宽带红外谱学检测器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述基于二类超晶格的线阵宽带红外谱学检测器，其特征在于，在检测器像元面阵的前部光学接口处设置有增透片。

3.如权利要求1所述基于二类超晶格的线阵宽带红外谱学检测器，其特征在于，检测器像元面阵为T2SL探测器阵列，采用256×4的面阵或256×1的一维线阵，采用InAs/GaSb或InAs/InAsSb超晶格材料制成，响应波段覆盖2～15 μm。

4.如权利要求3所述基于二类超晶格的线阵宽带红外谱学检测器，其特征在于，T2SL探测器阵列为nBn或pBp结构，包括AlGaS...

【技术特征摘要】

1.一种基于二类超晶格的线阵宽带红外谱学检测器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述基于二类超晶格的线阵宽带红外谱学检测器，其特征在于，在检测器像元面阵的前部光学接口处设置有增透片。

3.如权利要求1所述基于二类超晶格的线阵宽带红外谱学检测器，其特征在于，检测器像元面阵为t2sl探测器阵列，采用256×4的面阵或256×1的一维线阵，采用inas/gasb或inas/inassb超晶格材料制成，响应波段覆盖2～15 μm。

4.如权利要求3所述基于二类超晶格的线阵宽带红外谱学检测器，其特征在于，t2sl探测器阵列为nbn或pbp结构，包括algasb势垒层。

5.如权利要求3所述基于二类超晶格的线阵宽带红外谱学检测器，其特征在于，超晶格材料通过层厚梯度设置实现分波段响应，相邻像素的inas层厚度差为0.5～2 nm。

6.如权利要求1所述基于二类...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建平，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：