一种N-取代马来酰亚胺三元共聚物树脂、临时键合胶黏剂及黏合剂膜制造技术

本申请公开了一种N‑取代马来酰亚胺三元共聚物树脂，包括N‑取代马来酰亚胺类单元、第一烯类单体单元以及第二烯类单体单元；其中，第一烯类单体单元和第二烯类单体单元的结构不同。包含本申请中的N‑取代马来酰亚胺三元共聚物树脂的临时键合胶黏剂，经硬化后的材料在高温下与芯片也具有较高的结合力，从而能够避免芯片在塑封等高温条件下的偏移。同时，本申请中的N‑取代马来酰亚胺三元共聚物树脂与非极性树脂的相容性较好，在临时键合胶黏剂还包括非极性树脂组份时有利于提高临时键合胶黏剂的存储稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及临时键合胶黏剂，尤其涉及一种n-取代马来酰亚胺三元共聚物树脂、临时键合胶黏剂及黏合剂膜。

技术介绍

1、近年来，随着5g、云计算、人工智能等新技术的兴起，集成电路封装行业得到了快速发展。随着芯片i/o数量的增加，在芯片尺寸无法容纳全部的i/o时，扇出型封装便由此诞生。在扇出型封装中，主要有两种工艺流程，即chip first和rdl first。在chip first工艺流程中，首先通过高精度贴片机将切割好的芯片放置于带有临时键合胶黏剂的临时载板的设定位置，再进行塑封(molding)、rdl制作、植球、解键合、划片等工艺。在塑封工艺中，由于塑封料是在高温高压力下进行加工的，会对载板上贴装的芯片产生冲击，使芯片产生一定的位置偏移，并且在塑封料的后固化过程中由于体积收缩，会造成芯片的二次偏移，严重影响后续封装工艺的正常进行，造成良率损失。

2、目前，减小芯片位置偏移的方法主要有两种。第一种是通过改进封装工艺来实现。例如，在临时键合胶膜上制作凹槽结构，将芯片粘贴在膜层的凹槽结构内，在塑封时利用凹槽结构对芯片进行限位进而减小芯片偏移。第二种本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种N-取代马来酰亚胺三元共聚物树脂，其特征在于，包括N-取代马来酰亚胺类单元、第一烯类单体单元以及第二烯类单体单元；其中，第一烯类单体单元和第二烯类单体单元的结构不同。

2.如权利要求1所述的N-取代马来酰亚胺三元共聚物树脂，其特征在于，形成所述N-取代马来酰亚胺类单元的N-取代马来酰亚胺类单体为以下式(1)所示结构的化合物；

3.如权利要求2所述的N-取代马来酰亚胺三元共聚物树脂，其特征在于，R1包括碳原子数为1至6的直链烷基或其取代物、碳原子数为3至6的支链烷基或其取代物、碳原子数为3至12的环烷基或其取代物以及碳原子数为6至20的芳基或其取代物中的一种...

【技术特征摘要】

1.一种n-取代马来酰亚胺三元共聚物树脂，其特征在于，包括n-取代马来酰亚胺类单元、第一烯类单体单元以及第二烯类单体单元；其中，第一烯类单体单元和第二烯类单体单元的结构不同。

2.如权利要求1所述的n-取代马来酰亚胺三元共聚物树脂，其特征在于，形成所述n-取代马来酰亚胺类单元的n-取代马来酰亚胺类单体为以下式(1)所示结构的化合物；

3.如权利要求2所述的n-取代马来酰亚胺三元共聚物树脂，其特征在于，r1包括碳原子数为1至6的直链烷基或其取代物、碳原子数为3至6的支链烷基或其取代物、碳原子数为3至12的环烷基或其取代物以及碳原子数为6至20的芳基或其取代物中的一种；

4.如权利要求1至3任一项所述的n-取代马来酰亚胺三元共聚物树脂，其特征在于，形成所述第一烯类单体单元的第一烯类单体包括α-烯烃及其取代物、环烯烃及其取代物、桥环烯烃及其取代物中的一种；和/或

5.如权利要求4所述的n-取代马来酰亚胺三元共聚物树脂，其特征在于，所述第一烯类单体或所述第二烯类单体分别独立的为丁烯、异丁烯、丁二烯、戊烯、氯乙烯、苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、环丁烯、环戊烯、环己烯、环庚烯、1-甲基环戊烯、1-甲基环己烯、二环[2，2，1]庚-2-烯、1-甲基二环[2，2，1]庚-2-烯、5-甲基二环[2，2，1]庚-2-烯、7-甲基二环[2，2，1]庚-2-烯、1-乙基二环[2，2，1]庚-2-烯、5-乙基二环[2，2，1]庚-2-烯、1-丙基二环[2，2，1]庚-2-烯、5-丙基二环[2，2，1]庚-2-烯、1-丁基二环[2，2，1]庚-2-烯、5-丁基二环[2，2，1]庚-2-烯中的一种，所述第一烯类单体和所述第二烯类单体的结构不同。

6.如权利要求1至3任一项所述的n-取代马来酰亚胺三元共聚物树脂，其特征在于，所述n-取代马来酰亚胺三元共聚物树脂中n-取代马来酰亚胺类单元的摩尔量为a，n-取代马来酰亚胺三元共聚物树脂中第一烯类单体单元的摩尔数为b，n-取代马来酰亚胺三元共聚物树脂中第二烯类单体单元的摩尔数为c，则a:b:c为1：(0.1～10)：(0.1～10)。

7.如权利要求6所述的n-取代马来酰亚胺三元共聚物树脂，其特征在于，n-取代马来酰亚胺三元共聚物树脂中n-取代马来酰亚胺类单元的摩尔百分比为15％至75％，优选地，n-取代马来酰亚胺类单元的摩尔百分比为20％至55％；

8.如权利要求1至3任一项所述的n-取代马来酰亚胺三元共聚物树脂，其特征在于，n-取代马来酰亚胺三元共聚物树脂包括n-苯基马来酰亚胺-丁二烯-苯乙烯共聚物、n-苯基马来酰亚胺-己烯-苯乙烯共聚物、n-苯基马来酰亚胺-环己烯-苯乙烯共聚物、n-苯基马来酰亚胺-马来酸酐-苯乙烯共聚物、n-苯基马来酰亚胺-二环[2，2，1]庚-2-烯-苯乙烯共聚物、n-苯基马来酰亚胺-5-甲基二环[2，2，1]庚-2-烯-苯乙烯共聚物、n-苯基马来酰亚胺-5-丁基二环[2，2，1]庚-2-烯-苯乙烯共聚物、n-苯基马来酰亚胺-环己烯-二环[2，2，1]庚-2-烯共聚物、n-苯基马来酰亚胺-环己烯-马来酸酐、n-苯基马来酰亚胺-环己烯-5-甲基二环[2，2，1]庚-2-烯共聚物、n...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘强，杨金婵，李佳运，李康，张国平，孙蓉，
申请(专利权)人：深圳先进电子材料国际创新研究院，
类型：发明
国别省市：