【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于航天元器件抗辐照加固，具体为一种提高dip器件抗辐照能力的工艺加固方法。
技术介绍
1、空间辐射环境是航天器在轨运行所面临的重要环境要素之一，经国内外相关统计，约有40%的航天器电子故障源于太空辐射。为提高器件的抗辐照能力，除器件自身的抗辐照设计外，在器件使用过程中也可采取相应的抗辐照工艺。由于器件内芯片的侧面积非常小，器件底部封装及印制板也会对辐照产生阻挡效应，故芯片受到的辐照主要源于器件上方。
2、公开号cn109548311的中国专利“一种元器件抗辐照加固方法”通过pcb设计、抗辐照材料成形、预固定、试装、焊接、加固等步骤对器件进行抗辐照加固，所述专利技术简单、可操作性强，但是没有给出抗辐照材料尺寸的计算方法。
3、现有技术多集中于器件封装的抗辐照设计，而对于器件使用时的抗辐照工艺设计较少，更没有相应抗辐照设计的定量计算。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种提高dip器件抗辐照能力的工艺加固方法，弥补了器件本身抗辐照能力的不足，解决了器件使用...
【技术保护点】
1.一种提高DIP器件抗辐照能力的工艺加固方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种提高DIP器件抗辐照能力的工艺加固方法，其特征在于，基于芯片抗辐照指标计算钽片厚度的步骤具体为：
3. 根据权利要求2所述的一种提高DIP器件抗辐照能力的工艺加固方法，其特征在于，基于芯片抗辐照指标计算电离辐射总剂量的公式为：
4. 根据权利要求2所述的一种提高DIP器件抗辐照能力的工艺加固方法，其特征在于，根据铝屏蔽厚度计算钽片厚度的公式为：
5.根据权利要求1所述的一种提高DIP器件抗辐照能力的工艺加固方法，其特征在于，获...
【技术特征摘要】
1.一种提高dip器件抗辐照能力的工艺加固方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种提高dip器件抗辐照能力的工艺加固方法，其特征在于，基于芯片抗辐照指标计算钽片厚度的步骤具体为：
3. 根据权利要求2所述的一种提高dip器件抗辐照能力的工艺加固方法，其特征在于，基于芯片抗辐照指标计算电离辐射总剂量的公式为：
4. 根据权利要求2所述的一种提高dip器件抗辐照能力的工艺加固方法，其特征在于，根据铝屏蔽厚度计算钽片厚度的公式为：
5.根据权利要求1所述的一种提高dip器件抗辐照能力的工艺加固方法，其特征在于，获取dip器件内芯片尺寸及位置的步骤具体为：
6.根据权利要求1所述的一种提高...
【专利技术属性】
技术研发人员：惠丁丁，党荣辉，屈云鹏，夏凌强，高鹏，
申请(专利权)人：西安微电子技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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