【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光栅制备领域，特别是一种中红外超弦形全息光栅镀膜复形调控方法及全息光栅。
技术介绍
0、技术背景
1、中红外光栅是光谱分析仪器、脉冲压缩装置和光谱合束装置中的核心光学元件，在强场物理、光电对抗、激光加工、医疗和环境监测等领域有极大的应用需求。利用全息干涉曝光方法制备的全息光栅，具有线密度精度高、分辨率高、制备周期短和工艺简单等优点，是制备中长波红外光栅的理想方案。
2、目前，反射式全息光栅的主要构成为光栅结构和高反射层，其中光栅结构对入射光进行相位调控实现衍射，高反射层提供高反射率,现有制备方法主要分为前镀膜技术与后镀膜技术【在先技术1：b.w.shore,et.al.,j.opt.soc.am.a 14,1124-1136(1997)】，后镀膜技术工艺简单，在光栅制备领域内普遍应用。主要步骤为：在光栅基板上利用全息干涉曝光方法制备光刻胶光栅掩膜，随后在掩膜上镀制高反射膜层。此种方法制备的光栅结构通常和掩膜结构保持一致，因此，基于后镀膜工艺制备的全息光栅，其结构的调控通常依赖于对光刻胶光栅掩膜的调控...
【技术保护点】
1.一种中红外超弦形全息光栅镀膜复形调控方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种中红外超弦形全息光栅镀膜复形调控方法，其特征在于，所述的镀膜工艺选为磁控溅射镀膜工艺或电子束蒸发镀膜工艺，可调控的工艺参数包括沉积速率、沉积时间以及工作气体配比。
3.根据权利要求1所述的一种中红外超弦形全息光栅镀膜复形调控方法，其特征在于，所述匹配膜层(3)的厚度为500～1000纳米，材料为任意一种或多种薄膜材料。
4.根据权利要求1所述的一种中红外超弦形全息光栅镀膜复形调控方法，其特征在于，所述的功能层(4)可为各类高反射金属...
【技术特征摘要】
1.一种中红外超弦形全息光栅镀膜复形调控方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种中红外超弦形全息光栅镀膜复形调控方法，其特征在于，所述的镀膜工艺选为磁控溅射镀膜工艺或电子束蒸发镀膜工艺，可调控的工艺参数包括沉积速率、沉积时间以及工作气体配比。
3.根据权利要求1所述的一种中红外超弦形全息光栅镀膜复形调控方法，其特征在于，所述匹配膜层(3)的厚度为500～1000纳米，材料为任意一种或...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩昱行，晋云霞，曹红超，孔钒宇，张益彬，邵建达，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：
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