一种本征阻燃高透PMMA薄膜及其制备方法技术

技术编号:46062459 阅读:8 留言:0更新日期:2025-08-11 15:48
本发明专利技术公开了一种本征阻燃高透PMMA薄膜及其制备方法,薄膜包括第一、第二共混层及有机硅光扩散层,薄膜的阻燃性能达到V1及以上,燃烧几乎无烟,第一和第二共混层分别包含基体树脂A、B、改性树脂A、抗氧化剂、阻燃剂,有机硅光扩散层包含基体树脂A、B、有机硅光扩散剂、润滑剂,阻燃剂的主要成分为带有双键的磷腈化合物,制备方法为S1:将第一、第二共混层和有机硅光扩散层的原料分别加入双螺杆挤出机,制得粒料;S2:将各粒料熔融后进入三层共挤吹膜机制备三层膜胚料;S3:制成PMMA薄膜。本发明专利技术采用带有双键磷腈化合物作为阻燃剂,在薄膜制备的过程中和PMMA反应生成稳定的化学键,从而防止在薄膜在存放和使用的过程中阻燃剂析出引起的性能下降。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及pet薄膜,尤其涉及一种本征阻燃高透pmma薄膜及其制备方法。


技术介绍

1、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)薄膜具有良好的抗紫外性和耐候性。现有的pmma薄膜的阻燃性能提高主要集中于在pmma材料中添加粉体阻燃剂,虽然这种方法可以解决阻燃问题,但是容易造成薄膜的雾度提升,无法保证pmma薄膜的透明性。另外粉体阻燃剂虽然通过共混等方式可以均匀的分布在薄膜内达到良好的阻燃效果,但长时间容易从薄膜内析出造成薄膜阻燃效果减弱,降低产品的使用寿命。


技术实现思路

1、本专利技术针对上述不足,提出了一种本征阻燃高透pmma薄膜及其制备方法,采用带有双键磷腈化合物作为阻燃剂,在薄膜制备的过程中可以和pmma反应生成稳定的化学键,从而防止在薄膜在存放和使用的过程中阻燃剂析出引起的性能下降。

2、为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种本征阻燃高透pmma薄膜,包括依次层叠设置的第一共混层、有机硅光扩散层和第二共混层;

3、薄膜的透光度在85%以上,雾度在90%以上,阻燃性能达到v1本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种本征阻燃高透PMMA薄膜,其特征在于,包括依次层叠设置的第一共混层、有机硅光扩散层和第二共混层;

2.根据权利要求1所述的一种本征阻燃高透PMMA薄膜,其特征在于,所述基体树脂A为聚甲基丙烯酸甲酯聚合物,所述聚甲基丙烯酸甲酯聚合物的分子量为5W-10W。

3.根据权利要求1所述的一种本征阻燃高透PMMA薄膜,其特征在于,所述基体树脂B为甲基丙烯酸甲酯和丙烯酸烷基酯齐聚物,所述甲基丙烯酸甲酯的含量不小于95%wt,所述丙烯酸烷基酯的碳链长度为2-4。

4.根据权利要求1所述的一种本征阻燃高透PMMA薄膜,其特征在于,所述改性树脂A为丙烯酸类核壳改...

【技术特征摘要】

1.一种本征阻燃高透pmma薄膜,其特征在于,包括依次层叠设置的第一共混层、有机硅光扩散层和第二共混层;

2.根据权利要求1所述的一种本征阻燃高透pmma薄膜,其特征在于,所述基体树脂a为聚甲基丙烯酸甲酯聚合物,所述聚甲基丙烯酸甲酯聚合物的分子量为5w-10w。

3.根据权利要求1所述的一种本征阻燃高透pmma薄膜,其特征在于,所述基体树脂b为甲基丙烯酸甲酯和丙烯酸烷基酯齐聚物,所述甲基丙烯酸甲酯的含量不小于95%wt,所述丙烯酸烷基酯的碳链长度为2-4。

4.根据权利要求1所述的一种本征阻燃高透pmma薄膜,其特征在于,所述改性树脂a为丙烯酸类核壳改性剂,所述丙烯酸类核壳改性剂核层成分为甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸烷基酯共聚物,所述丙烯酸烷基酯的碳链长度为2-4。...

【专利技术属性】
技术研发人员:范胤琦刘振国张一帆张强飞孙文帅
申请(专利权)人:宁波维创柔性电子技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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