用于原子层沉积氟化物层的方法和设备、光学元件和光学布置结构技术

本发明专利技术涉及一种用于沉积至少一个氟化物层(2)的方法，该方法包括：在多个ALD循环中，通过光辅助原子层沉积、即ALD将氟化物层(2)沉积在衬底(3)上。该方法包括至少在多个ALD循环的一部分中、尤其在所有的ALD循环中用UV/VIS光(10a)照射氟化物层(2)，以便修复氟化物层(2)的至少一个潜在晶体缺陷。本发明专利技术还涉及一种用于原子层沉积至少一个氟化物层(2)的设备(1)、一种具有涂覆有这种氟化物层(2)的衬底(3)的光学元件和一种具有至少一个这种光学元件的光学布置结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于沉积氟化物层的方法，其包括：在多个ald循环中通过原子层沉积、即ald将氟化物层沉积在衬底上。本专利技术还涉及一种用于原子层沉积至少一个氟化物层的设备，其包括：具有用于衬底的支架的ald室以及用于将氟化剂输入ald室中的气体输送装置。本专利技术还涉及一种用于反射和/或透射在vuv波长范围内的辐射的光学元件，该光学元件具有涂覆有氟化物层的衬底，本专利技术还涉及一种用于vuv波长范围的光学布置结构，该光学布置结构具有至少一个这样的光学元件。

技术介绍

1、在本申请中，vuv波长范围是指在115nm到190nm之间的电磁辐射波长范围。vuv波长范围对于微光刻技术尤其重要。因此，vuv波长范围内的辐射例如用于投影曝光设备和晶圆或掩膜检查设备中。

2、在这种设备中通常使用具有至少一个氟化物层的光学元件。例如，用于vuv波长范围的高反射性光学元件通常具有氟化物层，以便保护反射辐射的底层金属层免受氧化。由不同的氟化物或者由氟化物与必要时的氧化物构成的叠层还可以用于光学元件的反射涂层或抗反射涂层。然而，如在晶圆或掩模检查设备以及投影曝光设本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于沉积至少一个氟化物层(2)的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在相应的ALD循环(Z)的第一反应步骤(A)中，使所述氟化物层(2)暴露在金属前体(MP)中，其中优选地，所述氟化物层(2)在第一反应步骤(A)中不用UV/VIS光(10a)照射来修复所述至少一个潜在晶体缺陷。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述金属前体(MP)从下述组中选择，该组包括：Al(CH3)3、AlCl3、(C2H5)3Al、Mg(thd)2、Mg(EtCp)2、Ca(thd)2、La(thd)2和LiHMDS。

4.根据前述权利要求中任一项所述的...

【技术特征摘要】

1.一种用于沉积至少一个氟化物层(2)的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在相应的ald循环(z)的第一反应步骤(a)中，使所述氟化物层(2)暴露在金属前体(mp)中，其中优选地，所述氟化物层(2)在第一反应步骤(a)中不用uv/vis光(10a)照射来修复所述至少一个潜在晶体缺陷。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述金属前体(mp)从下述组中选择，该组包括：al(ch3)3、alcl3、(c2h5)3al、mg(thd)2、mg(etcp)2、ca(thd)2、la(thd)2和lihmds。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，用uv/vis光(10a)照射所述氟化物层(2)以修复所述至少一个潜在晶体缺陷在相应的ald循环(z)的第二反应步骤(b)期间和/或之后进行，在该第二反应步骤中使所述氟化物层(2)暴露在活性氟前体(fp)中。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述活性氟前体(fp)通过光解从氟化剂(fw)中产生。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其中，所述氟化剂(fw)从下述组中选择，该组包括：sf6、nf3、hf、hf-吡啶、f2、nh4f、cf4、chf3、tif4、wf6、mof5、taf5。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的方法，还包括：用第三光谱范围内的光(10c)照射所述氟化物层(2)，以便光解所述氟化剂(fw)，其中，所述第三光谱范围处于在所述至少一个氟化物层(2)沉积过程中形...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·朗格，A·韦甘德，K·希克，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：