半导体装置制造方法及图纸

技术编号:46062421 阅读:14 留言:0更新日期:2025-08-11 15:48
一种半导体装置,包括一个基底、一个外侧检测线和一个内侧检测线。该基底具有外围侧面。该外侧检测线设置在该基底上并临近该外围侧面。该内侧检测线设置在该基底上,临近该外围侧面,并与该外侧检测线隔离。该外侧检测线比该内侧检测线更靠近该外围侧面。

【技术实现步骤摘要】

【】本专利技术涉及一种装置,更具体地说,涉及一种半导体装置


技术介绍

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技术介绍

1、传统的半导体装置可能因温度、外力作用等原因产生裂纹。如果裂纹继续扩大,将损坏半导体装置中至少一个组件(导电轨迹、导电通孔、电路、有源芯片、无源组件、层结构、模塑化合物等)。因此,如何检测半导体装置中发生的裂纹已成为行业的一个突出任务。


技术实现思路

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技术实现思路

1、在本专利技术的一个实施例中,提供了一种半导体装置。该半导体装置包括一个基底、一个外侧检测线和一个内侧检测线。该基底具有一个外围侧面。该外侧检测线设置在该基底上并临近该外围侧面。该内侧检测线设置在该基底上,临近该外围侧面,并与该外侧检测线隔离。该外侧检测线比该内侧检测线更靠近该外围侧面。

2、本专利技术的众多目的、特点和优点将在阅读以下对本专利技术实施例的详细描述以及结合附图时变得清晰可见。然而,此处使用的图纸仅用于描述目的,并不应视为限制性的。

【技术保护点】

1.一种半导体装置,包括:

2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,该外侧检测线沿着与该外围侧面大致平行的第一延伸路径延伸。

3.如权利要求1所述的半导体装置,进一步包括:

4.如权利要求3所述的半导体装置,其中,该外围侧面具有第一外围侧面、第二外围侧面、与该第一外围侧面相对的第三外围侧面以及与该第二外围侧面相对的第四外围侧面;该第一外侧连接线和该第二外侧连接线沿着与该第二外围侧面大致垂直的第二延伸路径延伸。

5.如权利要求1所述的半导体装置,进一步包括:

6.如权利要求1所述的半导体装置,其中,该基底包括:

7.如...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置,包括:

2.如权利要求1所述的半导体装置,其中,该外侧检测线沿着与该外围侧面大致平行的第一延伸路径延伸。

3.如权利要求1所述的半导体装置,进一步包括:

4.如权利要求3所述的半导体装置,其中,该外围侧面具有第一外围侧面、第二外围侧面、与该第一外围侧面相对的第三外围侧面以及与该第二外围侧面相对的第四外围侧面;该第一外侧连接线和该第二外侧连接线沿着与该第二外围侧面大致垂直的第二延伸路径延伸。

5.如权利要求1所述的半导体装置,进一步包括:

6.如权利要求1所述的半导体装置,其中,该基底包括:

7.如权利要求1所述的半导体装置,其中,该外侧检测线包括一个外侧上升段和与该外侧上升段连接的外侧下降段,且该内侧检测线包括一个内侧上升段和与该内侧上升段连接的内侧下降段;

8.如权利要求1所述的半导体装置,其中,该外侧检测线包括一个外侧上升段和与该外侧上升段连接的外侧下降段,且该内侧检测线包括一个内侧...

【专利技术属性】
技术研发人员:詹晴尧黄建凯石庭祯胡楚威
申请(专利权)人:联发科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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