一种阶梯式电极的薄膜铌酸锂电光调制器制造技术

本发明专利技术涉及光纤通信技术领域，具体涉及一种阶梯式电极的薄膜铌酸锂电光调制器，包括衬底、缓冲层、光波导、金属电极和过渡层；光波导为X或Y型切割LN薄膜，采用传统的脊状结构，光波导粘接在衬底上的厚SiO2缓冲层上，薄膜可以通过多种工艺制备，如离子注入、晶圆键合和热切片，为了提高电光重叠系数，减少光吸收损失，使用二氧化硅过渡层连接金属电极和光波导；金属电极为阶梯式结构，该电极可有效降低电损耗，获得高带宽，在光电效率上，电极用于产生电场；电场用于改变薄膜铌酸锂层的功能特性，进而改变波导的光传输特性，从而实现电光调制。从而解决现有的电光调制器调制效率较低的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光纤通信，尤其涉及一种阶梯式电极的薄膜铌酸锂电光调制器。

技术介绍

1、电光调制器被广泛应用于光通信系统的发射端,通过外加电信号改变光载波的振幅、相位等信息,实现高速电信号与光信号之间的转换。随着用户对数据流量和通信网络带宽需求的增加,对电光调制器的性能、集成度等指标提出了更高的要求。薄膜铌酸锂调制器具有功耗低、带宽大、尺寸小及制备技术相对成熟的特点,是集成光路未来发展的有效解决方案之一。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种阶梯式电极的薄膜铌酸锂电光调制器，旨在解决现有的电光调制器调制效率较低的问题。

2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种阶梯式电极的薄膜铌酸锂电光调制器，包括衬底、缓冲层、光波导、金属电极和过渡层；

3、所述缓冲层位于所述衬底的顶部，所述光波导位于所述缓冲层的顶部，所述过渡层位于所述光波导远离所述缓冲层的一侧，所述金属电极位于所述过渡层的顶部，所述过渡层连接所述金属电极和所述光波导。

4、其中，所述金属电极具有阶梯形结构。...

【技术保护点】

1.一种阶梯式电极的薄膜铌酸锂电光调制器，其特征在于，包括衬底、缓冲层、光波导、金属电极和过渡层；

2.如权利要求1所述的阶梯式电极的薄膜铌酸锂电光调制器，其特征在于，

3.如权利要求1所述的阶梯式电极的薄膜铌酸锂电光调制器，其特征在于，

4.如权利要求1所述的阶梯式电极的薄膜铌酸锂电光调制器，其特征在于，

5.如权利要求1所述的阶梯式电极的薄膜铌酸锂电光调制器，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种阶梯式电极的薄膜铌酸锂电光调制器，其特征在于，包括衬底、缓冲层、光波导、金属电极和过渡层；

2.如权利要求1所述的阶梯式电极的薄膜铌酸锂电光调制器，其特征在于，

3.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋树祥，钟闯洋，陈光润，杨军，马文凯，韦宗波，杨博雄，
申请(专利权)人：广西师范大学，
类型：发明
国别省市：