【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种卤铅铯单晶光纤束及其制备方法与应用，具体涉及δ-cspbi3单晶光纤束及其溶液生长方法与应用，属于铅基金属卤化物半导体晶体材料。
技术介绍
1、铅基金属卤化物半导体具有易溶液生长，材料成本低，载流子传输效率高、x-射线衰减系数大、太阳光收集效率高、带隙可调节、发光效率高等优点，被广泛应用于太阳能电池、x射线探测器、发光二极管、激光器和光催化研究。
2、现有的铅基金属卤化物半导体晶体材料因结构不同，形成多种结晶外形，如块状，薄膜和纤维。相比于3d和2d晶体，一维铅基金属卤化物光纤晶体具有低的离子结合能、长的载流子扩散长度和寿命、各向异性及柔性等优点。但是，单根光纤晶体直径在微纳米，对外加光场的响应信号弱。考虑到进一步提升光纤晶体的物理响应，且保持一维晶体的优异光电性能的需求，制备单晶光纤束将会大大提高一维晶体在光探测、激光器、发光等光电器件中的能量转化效率。晶体光纤束具备良好的柔性，可以进行可穿戴设备的设计制备，也可以作为光电性能优异的新材料应用于x射线探测器，太阳能电池器件，光纤激光器等先进器件。
<...【技术保护点】
1.一种卤铅铯晶种的制备方法，其特征在于，步骤如下：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述卤化铯为碘化铯、溴化铯或氯化铯；所述卤化铅为碘化铅、溴化铯或氯化铅；所述卤化铯和卤化铅的摩尔比为(1～1.1)：(1～1.1)；所述过滤为采用0.22μm的超细水膜进行过滤；
3.一种卤铅铯晶种，其特征在于，是按照权利要求1所述方法制备得到。
4.如权利要求3所述的卤铅铯晶种，其特征在于，所述的卤铅铯晶种的直径为5～18μm，长径比为(20～70)：1；
5.一种卤铅铯单晶光纤束，其特征在于，所述卤铅铯单晶光纤束是由若干...
【技术特征摘要】
1.一种卤铅铯晶种的制备方法，其特征在于，步骤如下：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述卤化铯为碘化铯、溴化铯或氯化铯；所述卤化铅为碘化铅、溴化铯或氯化铅；所述卤化铯和卤化铅的摩尔比为(1～1.1)：(1～1.1)；所述过滤为采用0.22μm的超细水膜进行过滤；
3.一种卤铅铯晶种，其特征在于，是按照权利要求1所述方法制备得到。
4.如权利要求3所述的卤铅铯晶种，其特征在于，所述的卤铅铯晶种的直径为5～18μm，长径比为(20～70)：1；
5.一种卤铅铯单晶光纤束，其特征在于，所述卤铅铯单晶光纤束是由若干卤铅铯单晶光纤组成的集合，所述卤铅铯单晶光纤的分子式为cspbx3，其中x为i、br或cl，所述卤铅铯单晶光纤束的直径为10～30μm，长度直径比≥500：1。
6.如权利要求1所述的卤铅铯单晶光纤束，其特征在于，所述x为i时，卤铅铯单晶光纤束为碘铅铯单晶...
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