一种并联电容式的宽带单刀双掷开关电路制造技术

本发明专利技术公开了一种并联电容式的宽带单刀双掷开关电路，所述宽带单刀双掷开关电路有支路一、支路二两条支路和第一端口(Port1)、第二端口(Port2)和第三端口(Port3)三个端口，第一端口(Port1)经第一微带线(MLIN1)和支路一与第二端口(Port2)相连，第一端口(Port1)经第一微带线(MLIN1)和支路二与第三端口(Port3)相连；所述支路二与支路一结构相同；通过互补控制逻辑实现支路导通与隔离状态切换：当第一支路控制电压为0V时导通，第二支路控制电压为‑5V时隔离；反之亦然。本发明专利技术通过并联电容的方法，显著提升开关性能，适用于需要高频信号切换的微波通信系统，具有插入损耗低、隔离度高、工作频带宽等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微波集成电路，具体涉及一种并联电容式的宽带单刀双掷开关电路。具体采用100nm gaas工艺，采用串并联相结合的结构的同时在串联晶体管两端并联电容以提升开关的插入损耗和隔离度。

技术介绍

1、射频单刀双掷开关(spdt)是t/r组件的核心，它的隔离度、插入损耗、功率容量等指标直接影响着整个收发系统的性能。随着移动通信技术的飞速发展，收发前端对于小型化、高功率容量、宽带的要求日益提升。而开关的插入损耗和隔离度互相制约。同时，高功率容量引入的寄生参量又影响着高频端的插入损耗和隔离度。所以，宽带开关的高隔离度和低插入损耗很难做到同时兼顾。

2、2018年，peng-i mei等人设计了一款工作在15ghz-35ghz的单刀双掷开关。该设计采用了纯并联结构同时采用堆叠式场效应晶体管来提高功率处理能力。开关的插入损耗小于3db，隔离度大于25db，开关的输入1db压缩点为26dbm。参见[p.-i.mei et al.,"single-pole double-throw switch using stacked-fet configurat本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种并联电容式的宽带单刀双掷开关电路，其特征在于，所述宽带单刀双掷开关电路有支路一、支路二两条支路和第一端口(Port1)、第二端口(Port2)和第三端口(Port3)三个端口，第一端口(Port1)经第一微带线(MLIN1)和支路一与第二端口(Port2)相连，第一端口(Port1)经第一微带线(MLIN1)和支路二与第三端口(Port3)相连；所述支路二与支路一结构相同。

2.根据权利要求1所述的并联电容式的宽带单刀双掷开关电路，其特征在于，所述支路一顺序连接有第二微带线(MLIN2)、第三微带线(MLIN3)、第五微带线(MLIN5)、第七微带线(MLIN7)、第...

【技术特征摘要】

1.一种并联电容式的宽带单刀双掷开关电路，其特征在于，所述宽带单刀双掷开关电路有支路一、支路二两条支路和第一端口(port1)、第二端口(port2)和第三端口(port3)三个端口，第一端口(port1)经第一微带线(mlin1)和支路一与第二端口(port2)相连，第一端口(port1)经第一微带线(mlin1)和支路二与第三端口(port3)相连；所述支路二与支路一结构相同。

2.根据权利要求1所述的并联电容式的宽带单刀双掷开关电路，其特征在于，所述支路一顺序连接有第二微带线(mlin2)、第三微带线(mlin3)、第五微带线(mlin5)、第七微带线(mlin7)、第九微带线(mlin9)；第二微带线(mlin2)、第三微带线(mlin3)分别接第一晶体管(q1)的漏极、源极；第四微带线(mlin4)的一端接第三微带线(mlin3)、第五微带线(mlin5)之间，第四微带线(mlin4)的另一端接第二晶体管(q2)的漏极；第六微带线(mlin6)的一端接第五微带线(mlin5)、第七微带线(mlin7)之间，第六微带线(mlin6)的另一端接第三晶体管(q3)的漏极；第八微带线(mlin8)的一端接第七微带线(mlin7)、第九微带线(mlin9)之间，第八微带线(mlin8)的另一端接第四晶体管(q4)的漏极；第九微带线(mlin9)的一端连接第七微带线(mlin7)，另一端连接至第三端口(port3)。

3.根据权利要求2所述的并联电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：周培根，王若璇，洪伟，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：