磁传感器制造技术

本发明专利技术涉及一种磁传感器。磁传感器具备MR元件、至少一个磁轭、以及至少一个磁场产生体。至少一个磁轭包含由软磁性材料构成的磁性层，并且与MR元件隔开间隔地相邻。至少一个磁场产生体包含由铁磁性材料构成的铁磁性部、和由反铁磁性材料构成且与铁磁性部交换耦合的反铁磁性部，并且构成为产生对至少一个磁轭施加的磁场。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种具备磁阻效应元件和与磁阻效应元件相邻的磁轭的磁传感器。

技术介绍

1、近年来，在各种用途中利用磁传感器。作为磁传感器，已知有使用了设置于基板上的自旋阀型的磁阻效应元件的磁传感器。自旋阀型的磁阻效应元件具有：磁化固定层，其具有方向被固定的磁化；自由层，其具有方向能够根据对象磁场的方向而变化的磁化；以及间隙层，其配置于磁化固定层和自由层之间。

2、在磁传感器中，为了提高磁传感器的灵敏度，存在具备使测定对象的磁场收敛于磁阻效应元件的软磁性体的磁传感器。在这样的磁传感器中，为了降低输出信号的磁滞，有时设置有对软磁性体施加偏置磁场的偏置磁场产生体。

3、在日本专利申请公开第2018-194534号公报中公开有一种磁传感器，其具备：磁阻效应元件、由软磁性材料构成且被配置为夹着磁阻效应元件的两个磁收敛部、以及对两个磁收敛部施加磁场的两个或四个硬偏置部。

4、在日本专利申请公开第2022-038821号公报中公开有一种磁传感器，其具备：磁阻效应元件、由软磁性材料构成且被配置为夹着磁阻效应元件的两个磁轭部、以及对两个磁轭本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种磁传感器，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

7.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的磁传感器，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

10.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

11...

【技术特征摘要】

1.一种磁传感器，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

6.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

7...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤节，小岛秀和，高桥宏和，三浦聪，太田宪和，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：