【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机发光材料,具体而言,涉及一类窄发射光谱高性能有机发光材料及其器件制备工艺。
技术介绍
1、有机发光二极管(oled)因其在平板显示器和固态光源的应用中表现优异而受到人们的广泛关注。oled的发展经历了三个阶段:荧光oled、磷光oled以及热活化延迟荧光(thermal ly activated delayed fluorescence,tadf);根据简单的自旋统计,oled中的单线态激子和三线态激子的形成比例一般为1∶3;荧光oled仅能利用单线态激子发光,因此,荧光oled的量子发光效率理论上仅为25%,量子发光效率较低;磷光oled引入重金属,ir、pt等,可以通过自旋轨道耦合利用75%的三线态激子,量子发光效率理论上可达100%,但由于重金属的引入,成本较高;tadf材料的激子通过从三线态反系间窜越到单线态,使得tadf材料在理论上可以达到100%的量子发光效率,并且不含有重金属,是目前较为先进的光电材料。
2、随着tadf材料的发展,扭曲的给体-受体(d-a)结构和多重共振(mr)结构的分子设计
...【技术保护点】
1.一类窄发射光谱高性能有机发光材料,其特征在于,所述窄发射光谱高性能有机发光材料的结构式如式Ⅰa或式Ⅰb所示;
2.根据权利要求1所述的一类窄发射光谱高性能有机发光材料,其特征在于,所述R1、R2、Ra、Rb、R3、R4和R5可与一个或多个R1、R2、Ra、Rb、R3、R4或R5稠和成单环和/或多环脂肪族、芳香族和/或苯并稠合环体系。
3.一种如权利要求1~2任一项所述的窄发射光谱高性能有机发光材料的合成方法,其特征在于,包括以下步骤:
4.根据权利要求3所述的一类窄发射光谱高性能有机发光材料的合成方法,其特征在于,步骤1)中,所
...【技术特征摘要】
1.一类窄发射光谱高性能有机发光材料,其特征在于,所述窄发射光谱高性能有机发光材料的结构式如式ⅰa或式ⅰb所示;
2.根据权利要求1所述的一类窄发射光谱高性能有机发光材料,其特征在于,所述r1、r2、ra、rb、r3、r4和r5可与一个或多个r1、r2、ra、rb、r3、r4或r5稠和成单环和/或多环脂肪族、芳香族和/或苯并稠合环体系。
3.一种如权利要求1~2任一项所述的窄发射光谱高性能有机发光材料的合成方法,其特征在于,包括以下步骤:
4.根据权利要求3所述的一类窄发射光谱高性能有机发光材料的合成方法,其特征在于,步骤1)中,所述r1的结构式为:所述r2的结构式为:所述pd(ⅱ)或pd(0)包括pd(pph3)4、pd2(dba)3、pd(oac)2、pdcl 2(pph3)2或pd(dppf)cl 2中的一种;所述惰性气体包括氮气或氩气中的一种;所述溶剂包括thf、nmp、dmf、dmso或et3n中的一种;所述过夜加热反应的温度为室温;步骤2)中,所述碱包括k2co3、k3po4、naot-bu、kot-bu、cs2co3、koh、naoh或dbu中的一种;所述溶剂包括dcm、thf、meoh、dmf或dmso中的一种;所述过夜加热反应的温度为室温;步骤3)中,所述r3的结构式为:所述碱包括k2co3、k3po4、naot-bu、...
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