一种N-TOPCON电池的制备方法及电池结构技术

本发明专利技术公开了一种N‑TOPCON电池的制备方法及电池结构，属于太阳能电池片生产技术领域，包括制绒、硼扩散掺杂、碱抛、形成SiO层和N+多晶硅层、RCA清洗、ALD氧化铝薄膜、沉积氮化硅薄膜、丝网印刷、烧结、光注入；ALD氧化铝薄膜是采用原子层沉积工艺在N型硅衬底表面沉积氧化铝薄膜，以三甲基铝和水作为反应物；在丝网印刷之前增加紫外线灯固化处理，在常温下使用紫外线灯对N型硅衬底正面进行固化处理。采用紫外固化灯照射，直接作用于钝化层中的Si‑H键和缺陷态，促进SiNx层氮化硅的致密化，提高其折射率增强光俘获能力，减少钝化层界面悬挂键生成，抑制Si‑H键断裂导致的复合速率上升‌，从而使效率衰减率下降。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能电池片生产，具体涉及一种n-topcon电池的制备方法及电池结构。

技术介绍

1、近年来，随着topcon电池产能不断的扩张，其由于topcon电池的双面电池结构相对perc电池具有较高的转化效率及双面率，可有效降低电站的装机成本，topcon电池组件越来越受到市场终端的青睐。topcon电池的工艺流程为制绒-硼扩-碱抛-n+层poly硅-rca清洗-ald氧化铝-正氮化膜-背氮化硅-丝网印刷-烧结-光注入-测试。

2、topcon电池结构常用氮化硅和氧化铝叠层作为钝化层，氢元素通常以si-h、n-h、si-o-h、al-o-h‌等键合形式存在于界面或晶格中，这样对钝化效果和topcon电池稳定性起关键作用。其中si-h的键能最低，也是对硅界面去悬挂件及钝化效率最明显的结构，也非常容易被紫外线破坏断裂。紫外线穿透电池表面减反射层后，会破坏氮化硅（sinx）或氧化铝（alox）钝化层的化学键结构，导致表面钝化效果退化。

3、现有的氧化铝工艺是使用水和tma反应生产，反应过程生产大量的氢离子，这部分氢离子堆积在硅片界本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种N-TOPCON电池的制备方法，包括在N型硅衬底（1）上进行制绒、硼扩散掺杂、碱抛、形成SiO层（5）和N+多晶硅层（6）、RCA清洗、ALD氧化铝薄膜（3）、沉积氮化硅薄膜、丝网印刷、烧结、光注入，其特征在于，所述ALD氧化铝薄膜（3）是采用原子层沉积工艺在所述N型硅衬底（1）表面沉积氧化铝薄膜（3），以三甲基铝和水作为反应物，沉积的氧化铝薄膜（3）的氢离子浓度为10¹9-10²0atoms/cm³；

2.根据权利要求1所述的一种N-TOPCON电池的制备方法，其特征在于，所述光注入的温度为200-600℃、时间为100-300s，能量密度为1-5W/cm²。...

【技术特征摘要】

1.一种n-topcon电池的制备方法，包括在n型硅衬底（1）上进行制绒、硼扩散掺杂、碱抛、形成sio层（5）和n+多晶硅层（6）、rca清洗、ald氧化铝薄膜（3）、沉积氮化硅薄膜、丝网印刷、烧结、光注入，其特征在于，所述ald氧化铝薄膜（3）是采用原子层沉积工艺在所述n型硅衬底（1）表面沉积氧化铝薄膜（3），以三甲基铝和水作为反应物，沉积的氧化铝薄膜（3）的氢离子浓度为10¹9-10²0atoms/cm³；

2.根据权利要求1所述的一种n-topcon电池的制备方法，其特征在于，所述光注入的温度为200-600℃、时间为100-300s，能量密度为1-5w/cm²。

3.根据权利要求1所述的一种n-topcon电池的制备方法，其特征在于，所述原子层沉积工艺中水和三甲基铝的脉冲时间为10-30s，吹扫时间为10-30s，流量均为20-40sccm，循环次数为30-50次，反应温度为280-310℃。

4.根据权利要求1所述一种n-topcon电池的制备方法，其特征在于，所述氧化铝薄膜（3）的厚度为3-10nm。

5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：张明明，鲁伟明，郭世成，方涛，营松，顾艳杰，
申请(专利权)人：淮安捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：