【技术实现步骤摘要】
本整体涉及存储器中的电源管理，并且更具体地涉及存储器阵列中的浪涌电流管理。
技术介绍
1、计算机以各种方式存储信息，包括具有高容量并在不再供电之后保留其数据的磁盘存储装置、在电源被断开时类似地保留其状态的非易失性半导体存储器诸如闪存存储器、以及更快速地运行但在电源被切断时不保留其数据状态的易失性存储器诸如静态随机存取存储器(sram)和动态随机存取存储器(dram)。sram使用半导体设备诸如晶体管来存储数据，而dram通常使用小电容器来存储数据状态并且必须每隔几秒就“刷新”或重写，否则其可能会丢失其数据状态。尽管sram位单元结构通常大于dram位单元结构，但这些sram位单元结构运行得更快并且因此对于应用诸如高速缓存并对于cpu的内部寄存器是优选的。较慢但较便宜的dram通常用于计算机的主存储器，其中容量是主要关注问题。
2、sram通常包括各自可操作以存储信息位(例如，1或0值)的存储器单元或位单元结构的位单元阵列，以及外围电路诸如地址解码器和可操作以写入或擦除位单元阵列中的位单元的内容的电路。在一些示例中，位单元存储...
【技术保护点】
1.一种控制将功率信号施加到形成于设备中的多个存储器实例的方法，每个存储器实例包括外围电路和一个或多个位单元阵列，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述一个或多个电源延迟电路中的至少一个电源延迟电路包括足以将期望的电阻-电容延迟赋予所述功率信号的导线长度。
5.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一存储器实例包括多个位单元阵列，并且其中所述一个或多个电源延迟电路在所述多个位单元阵列之间和/或当中交织，使得所述位单元阵列相继被上
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【技术特征摘要】
1.一种控制将功率信号施加到形成于设备中的多个存储器实例的方法，每个存储器实例包括外围电路和一个或多个位单元阵列，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述一个或多个电源延迟电路中的至少一个电源延迟电路包括足以将期望的电阻-电容延迟赋予所述功率信号的导线长度。
5.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一存储器实例包括多个位单元阵列，并且其中所述一个或多个电源延迟电路在所述多个位单元阵列之间和/或当中交织，使得所述位单元阵列相继被上电。
6.根据权利要求3所述的方法，其中所述一个或多个电源延迟电路还包括一个或多个反相器或缓冲器或它们的组合。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述一个或多个反相器位于所述第一存储器实例中的位单元阵列之间或位单元阵列组之间。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一存储器实例中的所提供的控制电路电源就绪信号源于在所述第一存储器实例的保持电源输入端子处接收的控制电路电源就绪信号。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括将在所述第一存储器实例的保持电源输入端子处接收的所述控制电路电源就绪信号施加到一个或多个电源延迟电路，以延迟所述第一存储器实例中的所提供的控制电路电源就绪信号。
10.根据权利要求1所述的方法，其...
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