一种钨钼硅超导薄膜及其制备方法技术

本公开提供了一种钨钼硅超导薄膜及其制备方法，可以应用于光量子精密测量技术领域。钨钼硅超导薄膜，包含钨钼硅层，其化学式为W<subgt;x</subgt;Mo<subgt;y</subgt;Si<subgt;z</subgt;，其中x:y=1:1~2，(x+y):z=4~1:1。该钨钼硅超导薄膜制备方法包括：以真空磁控溅射方法对W靶、Mo靶、Si靶进行共溅射，在基底表面沉积钨钼硅薄膜；其中，W靶的工作功率为30~100W，Mo靶的工作功率为30~100W，Si靶的工作功率为80~160W。本公开实施例制备的薄膜致密均匀、表面平整光亮，重复性高，性能稳定，在低温下能发生超导转变。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及真空镀膜领域，更具体地说，涉及钨钼硅超导薄膜及其制备方法，适用于光量子精密测量应用。

技术介绍

1、量子探测技术，特别是在量子计算、量子通信和精密测量等领域，对探测元件的性能提出了极高的要求。超导纳米线单光子探测器（snspds）作为量子探测中的关键组件，因其高灵敏度、快速响应和低噪声特性而备受关注。然而，现有的snspds在实际应用中面临着制备方法复杂、成本高昂以及性能不稳定等问题。

2、超导薄膜作为snspds的核心组成部分，其质量直接影响探测器的性能。传统的超导薄膜制备方法，如化学气相沉积（cvd）和物理气相沉积（pvd），虽然在一定程度上能够满足超导薄膜的制备需求，但在量子探测应用中，这些方法往往难以实现对薄膜微观结构的精确控制，且在高真空环境下的稳定性和可重复性方面存在不足。

3、真空磁控溅射技术，作为一种物理气相沉积方法，能够在高真空环境下通过高能粒子轰击靶材，实现材料的沉积。然而，针对量子探测用超导薄膜的特定需求，现有的真空磁控溅射技术尚未完全优化，以满足量子探测应用中对超导薄膜性能的严苛要求。

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钨钼硅超导薄膜，其特征在于，包含：钨钼硅层，其化学式为WxMoySiz，其中x:y=1:1~2，(x+y):z=4~1:1。

2.根据权利要求1所述的钨钼硅超导薄膜，其特征在于，所述钨钼硅层的厚度为5~10nm。

3.根据权利要求1所述的钨钼硅超导薄膜，其特征在于，所述薄膜还包含防氧化层。

4.根据权利要求3所述的钨钼硅超导薄膜，其特征在于，所述防氧化层为Si层。

5.根据权利要求3所述的钨钼硅超导薄膜，其特征在于，所述防氧化层的厚度为2~3nm。

6.一种钨钼硅超导薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

7.根...

【技术特征摘要】

1.一种钨钼硅超导薄膜，其特征在于，包含：钨钼硅层，其化学式为wxmoysiz，其中x:y=1:1~2，(x+y):z=4~1:1。

2.根据权利要求1所述的钨钼硅超导薄膜，其特征在于，所述钨钼硅层的厚度为5~10nm。

3.根据权利要求1所述的钨钼硅超导薄膜，其特征在于，所述薄膜还包含防氧化层。

4.根据权利要求3所述的钨钼硅超导薄膜，其特征在于，所述防氧化层为si层。

5.根据权利要求3所述的钨钼硅超导薄膜，其特征在于，所述防氧化层的厚度为2~3nm...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐可米，卢欣欣，王浩霖，杨志远，孙菁，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：