发声单元制造技术

技术编号:45967496 阅读:8 留言:0更新日期:2025-08-01 18:34
本技术公开了发声单元,包括盆架、磁路组件、低音振动组件和高音系统,磁路组件包括轭铁和分别设于轭铁上的中心磁结构及边磁结构,边磁结构连接盆架,边磁结构与中心磁结构之间形成低音磁间隙,中心磁结构包括由下至上依次堆叠相连的环形下磁钢、环形华司板及华司凸包,华司凸包的中空区域连通环形下磁钢的中空区域;高音系统包括高音振膜组件、高音音圈、上高音磁结构及下高音磁结构,高音振膜组件连接中心磁结构,高音振膜组件的顶侧和底侧分别设有高音音圈,华司凸包的顶板的底面上设有上高音磁结构,轭铁对应于环形下磁钢的区域下高音磁结构。本发声单元结构新颖,厚度薄且高频性能佳。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电声转换器,特别涉及发声单元


技术介绍

1、发声单元作为将电能转变为声能的常用电声换能器件,其在声放系统中起着不可或缺的作用。

2、随着手机、平板电脑等消费类电子产品的轻薄化发展,发声单元也随之也需要变得更轻薄。现有技术中,存在一种高音系统和低音吸音同轴的设计,但这种同轴发声单元普遍存在厚度偏大,难以满足消费类电子产品轻薄化要求的问题;而如果直接缩减高音系统的磁结构的体积,则会导致发声单元的声学性能下降。


技术实现思路

1、本技术解决的技术问题为:提供一种轻薄化高性能发声单元。

2、为了解决上述技术问题,本技术采用的技术方案为:发声单元,包括:

3、盆架;

4、磁路组件,所述磁路组件包括轭铁和分别设于所述轭铁上的中心磁结构及边磁结构,所述边磁结构连接所述盆架,所述边磁结构与所述中心磁结构之间形成低音磁间隙,所述中心磁结构包括由下至上依次堆叠相连的环形下磁钢、环形华司板及华司凸包,所述华司凸包的中空区域连通所述环形下磁钢的中空区域;

5、低本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.发声单元,其特征在于:包括

2.根据权利要求1所述的发声单元,其特征在于:所述轭铁的底面设有连通所述环形下磁钢的中空区域的透气孔。

3.根据权利要求2所述的发声单元,其特征在于:所述轭铁上设有覆盖所述透气孔的网布。

4.根据权利要求3所述的发声单元,其特征在于:所述轭铁的底面还设有用于容纳所述网布的至少部分区域的容纳槽。

5.根据权利要求4所述的发声单元,其特征在于:所述容纳槽的深度大于或等于所述网布的厚度。

6.根据权利要求3所述的发声单元,其特征在于:所述网布为编织网或金属网。

7.根据权利要求1所述的发声单...

【技术特征摘要】

1.发声单元,其特征在于:包括

2.根据权利要求1所述的发声单元,其特征在于:所述轭铁的底面设有连通所述环形下磁钢的中空区域的透气孔。

3.根据权利要求2所述的发声单元,其特征在于:所述轭铁上设有覆盖所述透气孔的网布。

4.根据权利要求3所述的发声单元,其特征在于:所述轭铁的底面还设有用于容纳所述网布的至少部分区域的容纳槽。

5.根据权利要求4所述的发声单元,其特征在于:所述容纳槽的深度大于或等于所述网布的厚度。

6.根据权利要求3所述的发声单元,其特征在于:所述网布为编织网或金属网。

7.根据权利要求1所述的发声单元,其特征在于:所述华司凸包的底...

【专利技术属性】
技术研发人员:康恺轩林嘉平
申请(专利权)人:深圳市维仕声学有限公司
类型:新型
国别省市:

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