切割道具有微纳结构的紫外LED及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种切割道具有微纳结构的紫外LED及其制备方法，属于紫外LED技术领域。包括：从下至少依次包括衬底、缓冲层、N型AlGaN层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型AlGaN层、p‑GaN层，p‑GaN层向下刻蚀至N型AlGaN层中部形成N型电极台面，N型电极台面上形成有N型欧姆电极，p‑GaN层的上表面依次形成有P型欧姆电极和金属反射镜，切割道上形成有若干微纳结构；以及SiO<subgt;2</subgt;钝化层。通过在切割道上形成的若干微纳结构的作用下，原本被全反射回芯片内部并被吸收的光线，可以通过微纳结构增加的光逃逸通道逃逸出来，使散射效应增强，进而提高整体紫外LED的光提取效率和发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及紫外led，尤其涉及一种切割道具有微纳结构的紫外led及其制备方法，更涉及一种切割道具有微纳结构的深紫外led及其制备方法。

技术介绍

1、与传统汞紫外灯相比，algan基紫外发光二极管（uv led）具有寿命长、能效高、易于控制集成等优点。根据发光波长的不同，uv led器件在杀菌消毒、生物探测、污水净化以及光存储领域都有着广泛的应用前景。尽管algan基uv led经过几十年的发展，在光电性能方面已经取得了重要突破。然而，现阶段紫外led的壁插效率（wpe）仍然低于10%，这在很大程度上限制了其广泛应用。而光提取效率（lee）低是导致wpe低的关键因素之一。因此，提高uv led的光提取效率就显得尤为重要。

2、目前，工艺上在uv led芯片的切割道上并未做任何处理。大部分光线在到达切割道界面时，因材质的折射率差异会发生全反射被反射回芯片内部，被困在芯片内部最终被吸收或者被转化成热，导致无法逃逸出芯片，导致目前的紫外led的光提取效率比较低。

技术实现思路

1、为解决上述技术问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种切割道具有微纳结构的紫外LED，其特征在于，包括衬底（101），衬底（101）的上表面从下至少依次形成有缓冲层（102）、N型AlGaN层（103）、多量子阱层（104）、P型电子阻挡层（105）、P型AlGaN层（106）、p-GaN层（107），p-GaN层（107）向下刻蚀至N型AlGaN层（103）中部形成N型电极台面，N型电极台面上形成有N型欧姆电极（110），p-GaN层（107）的上表面依次形成有P型欧姆电极（108）和金属反射镜（109），从N型电极台面向下刻蚀至缓冲层（102）中部形成切割道，切割道上形成有若干微纳结构（111）；暴露的缓冲层（102）、微纳结构...

【技术特征摘要】

1.一种切割道具有微纳结构的紫外led，其特征在于，包括衬底（101），衬底（101）的上表面从下至少依次形成有缓冲层（102）、n型algan层（103）、多量子阱层（104）、p型电子阻挡层（105）、p型algan层（106）、p-gan层（107），p-gan层（107）向下刻蚀至n型algan层（103）中部形成n型电极台面，n型电极台面上形成有n型欧姆电极（110），p-gan层（107）的上表面依次形成有p型欧姆电极（108）和金属反射镜（109），从n型电极台面向下刻蚀至缓冲层（102）中部形成切割道，切割道上形成有若干微纳结构（111）；暴露的缓冲层（102）、微纳结构（111）周围及上表面、暴露的n型algan层（103）上表面、n型algan层（103）周围、多量子阱层（104）周围、p型电子阻挡层（105）周围、p型algan层（106）周围和p-gan层（107）周围均形成有sio2钝化层（112）。

2.根据权利要求1所述的切割道具有微纳结构的紫外led，其特征在于，微纳结构（111）的顶面直径为200nm~5μm，底面直径为200nm~10μm，相邻的微纳结构（111）中心之间的间距为500nm~20μm。

3.根据权利要求1或2所述的切割道具有微纳结构的紫外led，其特征在于，微纳结构（111）形状为圆台形，若干微纳结构（111）在切割道上呈周期性排列。

4.根据权利要求1或2所述的切割道具有微纳结构的紫外led，其特征在于，

5.根据权利要求1或2所述的切割道具有微...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭凯，贾越栋，王充，张晓娜，张勇辉，李晋闽，
申请(专利权)人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：