【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光刻，具体提供一种高效水冷euv光刻机反射镜。
技术介绍
1、在euv光刻机中，反射镜需在13.5nm波长附近实现高反射率（>90%）反射，反射镜的表面通常为mo/si多层膜结构。由于euv光源的功率极高，反射镜吸收euv光源的残余热量，导致以下问题：
2、1.热形变：温度梯度引起反射镜镜面纳米级形变，降低光刻分辨率。
3、2.热应力：温度分别不均匀会在反射镜的内部产生热应力，可能导致反射镜镜面损坏，影响使用寿命。
4、3.维护成本上升：热形变和热应力会加速反射镜老化，增加更换频率，更高的维护需求和更短的更换周期会推高运营成本。
技术实现思路
1、本专利技术为解决上述问题，提供了一种高效水冷euv光刻机反射镜，具有高效、高可靠性的冷却性能，能够降低高功率euv光源对光刻机反射镜的高温影响，避免产生热形变，提升光刻机反射镜的工作性能以及长期稳定性。
2、本专利技术提供的一种高效水冷euv光刻机反射镜，具体包括镜体、密封...
【技术保护点】
1.一种高效水冷EUV光刻机反射镜，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高效水冷EUV光刻机反射镜，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的高效水冷EUV光刻机反射镜，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的高效水冷EUV光刻机反射镜，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的高效水冷EUV光刻机反射镜，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的高效水冷EUV光刻机反射镜，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的高效水冷EUV光刻机反射镜，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的高效水冷EUV...
【技术特征摘要】
1.一种高效水冷euv光刻机反射镜，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高效水冷euv光刻机反射镜，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的高效水冷euv光刻机反射镜，其特征在于：
4.根据权利要求3所述的高效水冷euv光刻机反射镜，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的高效水冷euv光刻机反射镜，其特征在于：
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【专利技术属性】
技术研发人员：郭疆，杨利伟，周龙加，朱磊，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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