【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、器件在当前移动通信器件中，多路复用器被使用，以在使用连接到多路复用器的相同天线的同时允许多个频带中的滤波器操作。
2、具有多于两个滤波器功能或多路复用器的分立式电声部件由载板(例如，层压板和单独滤波器芯片)组成。相应滤波器功能体现在相应分开芯片上。这样做的优点是分开优化的层堆叠可以用于每个滤波器功能，并且可以使用不同的滤波器技术。另外，用于单独滤波器的芯片尺寸仍然很小，从而例如在机械稳定性方面或关于单独滤波器在生产期间的故障，或当将单独芯片修整到目标频率时，提供了一些优势。
3、然而，载板必须足够大，以保持芯片边缘处和电声芯片之间的距离最小。而且，散热并非最佳，从晶片上切下小芯片会减少声学可用区域，并且当切割晶片时产生更大的材料损失。
4、由于封装中或载板与芯片之间的热失配，因此在单个芯片上使用具有多于两个滤波器功能的较大芯片在操作期间对裂纹和故障更敏感。进一步地，很难在同一芯片上同时满足对不同滤波器功能的优化。
技术实现思路
1、本专利...
【技术保护点】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述载体衬底包括硅(Si)。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个电介质层为氧化硅层。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述多晶硅包括300纳米(nm)至2000nm之间的厚度。
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述载体衬底具有比所述压电层的热导率大至少十倍的热导率。
6.根据权利要求1所述的装置，还包括：多层板，其形成所述封装的至少部分，所述多层板的底部表面包括接触焊盘，其中所述多层板包括将所述接触焊盘和与所述底部表面相对的顶部表面上的相...
【技术特征摘要】
1.一种装置，包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述载体衬底包括硅(si)。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个电介质层为氧化硅层。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述多晶硅包括300纳米(nm)至2000nm之间的厚度。
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述载体衬底具有比所述压电层的热导率大至少十倍的热导率。
6.根据权利要求1所述的装置，还包括：多层板，其形成所述封装的至少部分，所述多层板的底部表面包括接触焊盘，其中所述多层板包括将所述接触焊盘和与所述底部表面相对的顶部表面上的相应外部接触连接的集成布线，并且其中所述多层板利用连接安装到所述层堆叠，以将所述接触焊盘与相应信号焊盘和所述天线端子电连接。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述多层板选自由多层层压板、htcc和ltcc组成的组。
8.根据权利要求1所述的装置，其中所述腔被一体形成。
9.根据权利要求1所述的装置，其中所述四个saw滤波器电路形成包括两个双工器的四工器。
10.根据权利要求1所述的装置，其中所述四个saw滤波器电路中的至少...
【专利技术属性】
技术研发人员：F·哈贝尔，T·鲍尔，P·哈根，T·登格勒，
申请(专利权)人：RF三六零新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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