一种单基质全无机白光材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种单基质全无机白光材料及其制备方法，该材料的化学式为Cs<subgt;2</subgt;GeCl<subgt;6</subgt;:xBi<supgt;3+</supgt;/yTe<supgt;4+</supgt;，其中x和y的掺杂浓度分别为1%‑10%。该材料在400 nm激发下表现出强烈的宽谱黄色发光，峰值位于565 nm，这是由于Te<supgt;4+</supgt;引起的自陷态激子（STEs）发光。同时，在480 nm处观察到蓝色发光，源于Bi<supgt;3+</supgt;的s‑p跃迁。通过Bi<supgt;3+</supgt;/Te<supgt;4+</supgt;共掺杂，Cs<subgt;2</subgt;GeCl<subgt;6</subgt;材料实现了从蓝色到黄色区域的高效双发射，进而实现了多种色温的白光发射本发明专利技术的制备方法简单，原料易得，适用于大规模生产，具有广泛的应用前景，特别是在白光LED、显示技术和照明领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种白光材料，特别涉及了一种单基质全无机白光材料及其制备方法；属于无机固体发光材料。

技术介绍

1、白光发光二极管（led）作为新一代照明技术，凭借高效、节能、环保等显著优点，在室内外照明、显示技术以及背光源等领域得到广泛应用（[参考文献 1：zhang, s., et al."a review on the research progress of white light-emitting diodes", journal of  materials science: materials in electronics, 2020, 31 (10), 7799 - 7818]）。传统的白光led通常采用蓝光led芯片搭配黄色荧光粉的组合来实现白光发射，但这种方式存在诸如色温不均匀、显色指数低等问题。

2、近年来，单基质白光材料因其具备优异的色温调控能力和高显色指数，逐渐成为研究热点（[参考文献 2：liu, y., et al. "recent adva本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单基质全无机白光材料，其特征在于，化学式为Cs2GeCl6:x%Bi3+/y%Te4+，其中x为Bi3+的掺杂浓度，y为Te4+的掺杂浓度，x和y的范围分别为1% - 10%。

2.根据权利要求1所述的单基质全无机白光材料，其特征在于，在400 nm激发下，该材料可观察到峰值为565 nm的强烈宽谱黄色发光，源于Te4+的自陷态激子（STEs），同时在480nm处呈现蓝色发光，源于Bi3+的s-p跃迁。

3.根据权利要求1所述的单基质全无机白光材料，其特征在于，通过Bi3+/Te4+共掺杂，可实现从蓝色到黄色区域的高效双发射，进而实现各种色温的白光发射。<...

【技术特征摘要】

1.一种单基质全无机白光材料，其特征在于，化学式为cs2gecl6:x%bi3+/y%te4+，其中x为bi3+的掺杂浓度，y为te4+的掺杂浓度，x和y的范围分别为1% - 10%。

2.根据权利要求1所述的单基质全无机白光材料，其特征在于，在400 nm激发下，该材料可观察到峰值为565 nm的强烈宽谱黄色发光，源于te4+的自陷态激子（stes），同时在480nm处呈现蓝色发光，源于bi3+的s-p跃迁。

3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘跃晓，陈熙，邹军，赵甜甜，汪豪帅，吴睿，曹叶玲，
申请(专利权)人：温州大学，
类型：发明
国别省市：