一种高均匀性高效率的808nm半导体激光器外延片及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高均匀性高效率的808nm半导体激光器外延片及其制备方法，属于光电子技术领域。由下到上依次包括衬底、缓冲层、N限制层、N波动层、插入层、量子阱、P波导层、P限制层和欧姆接触层，其中：量子阱材料为GaAs <subgt;y1</subgt;P<subgt;1‑y1</subgt;，无Al材料，插入层材料为GaAs。本发明专利技术可以在不影响光场分布的前提下提高空穴迁移速率，减小体电阻，进而降低工作电压，提高电光转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高均匀性高效率的808nm半导体激光器外延片及其制备方法，属于光电子。

技术介绍

1、gaas基808nm大功率半导体激光器经过多年发展，具有功率高、体积小、寿命长等优点，现已被广泛应用于固体激光器的泵浦源、先进工业生产加工、激光通信、医疗美容、自动控制以及军事武器等重要领域，近年来，高功率激光二极管(ld)在性能方面得到了很大的改进，并在光纤激光器、固体激光器、红外照明等领域具有广泛应用。然而，整个激光器系统的应用和发展仍然受单个芯片功率转换效率的限制。这就要求半导体芯片具有较低的阈值电流和工作电压，以及较高的外量子效率。

2、在808nm处发射的激光二极管广泛利用algaas材料，然而，高al含量的algaas材料将增加表面非辐射复合率并降低comd水平。为解决这一问题，algainp/gainp结构被广泛使用，并已被证实具有很高的可靠性，但是由于砷化物/磷化物材料的异质层之间的突变界面，导致该材料系统具有明显的电压损失，使得难以实现高效率输出。此外，由于in原子在材料生长过程中的扩散偏析，会导致界面生长质量变差、波长均一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高均匀性高效率的808nm半导体激光器外延片，其特征在于，由下到上依次包括衬底、缓冲层、N限制层、N波动层、插入层、量子阱、P波导层、P限制层和欧姆接触层，其中：

2.如权利要求1所述的高均匀性高效率的808nm半导体激光器外延片，其特征在于，N限制层材料为Alx1Ga1-x1InP，P限制层材料为Alx4Ga1-x4As。

3.如权利要求2所述的高均匀性高效率的808nm半导体激光器外延片，其特征在于，衬底材料为GaAs，偏角15°。

4.如权利要求3所述的高均匀性高效率的808nm半导体激光器外延片，其特征在于，N限制层厚度为1-1.3um...

【技术特征摘要】

1.一种高均匀性高效率的808nm半导体激光器外延片，其特征在于，由下到上依次包括衬底、缓冲层、n限制层、n波动层、插入层、量子阱、p波导层、p限制层和欧姆接触层，其中：

2.如权利要求1所述的高均匀性高效率的808nm半导体激光器外延片，其特征在于，n限制层材料为alx1ga1-x1inp，p限制层材料为alx4ga1-x4as。

3.如权利要求2所述的高均匀性高效率的808nm半导体激光器外延片，其特征在于，衬底材料为gaas，偏角15°。

4.如权利要求3所述的高均匀性高效率的808nm半导体激光器外延片，其特征在于，n限制层厚度为1-1.3um，0.2≤x1≤0.5，掺杂浓度为7e17-2e18个原子/cm3，掺杂源采用si2h6；

5.如权利要求4所述的高均匀性高效率的808nm半导体激光器外延片，其特征在于，n限制层厚度为1um，x1＝0.25，掺杂浓度为1e1...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾鑫，朱凯，郑兆河，赵凯迪，王朝旺，李强，
申请(专利权)人：山东华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：