一种基于真空感应区熔制备高纯铍的方法技术

本发明专利技术公开了一种基于真空感应区熔制备高纯铍的方法，涉及高纯铍技术领域，该方法包括以下步骤：(1)对铍棒进行抛光，然后在保护气体环境下将铍棒装于石墨舟中；(2)将步骤(1)处理后的铍棒置于真空环境中，通过同轴的感应线圈在铍棒局部形成轴向温度梯度可控的熔区，以预设速度移动熔区并进行重复多次，利用杂质分凝效应实现定向富集清除，得高纯铍。该方法通过在真空环境下对铍棒进行多次区熔处理，实现了对铍棒的提纯，使铍棒纯度能够达到99.995％以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及高纯铍，具体涉及一种基于真空感应区熔制备高纯铍的方法。

技术介绍

1、核反应堆慢化材料、x射线窗口等尖端领域要求铍纯度≥99.99％，且需控制fe、c、o等杂质含量(如fe≤50ppm)。传统电子束区熔法虽能有效实现铍的提纯，但该方法使用设备复杂且铍蒸气毒性大，操作危险性高；常规区熔法提纯铍时，因铍的高热导率(200w/m·k)导致熔区稳定性差，杂质分凝效率低(提纯后纯度通常＜99.95％)；化学提纯则易引入二次污染，难以去除固溶态杂质。因此，亟需一种高效除杂制备高纯铍的方法。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题，本专利技术的目的是提供一种基于真空感应区熔制备高纯铍的方法，该方法通过在真空环境下对铍棒进行多次区熔处理，实现了对铍棒的提纯，使铍棒纯度能够达到99.995％以上。

2、本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：提供一种基于真空感应区熔制备高纯铍的方法，包括以下步骤：

3、(1)对铍棒进行抛光，然后在保护气体环境下将铍棒装于石墨舟中；p>

4、(2)本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于真空感应区熔制备高纯铍的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的基于真空感应区熔制备高纯铍的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述铍棒为工业级铍棒，纯度≥99.9％。

3.如权利要求1所述的基于真空感应区熔制备高纯铍的方法，其特征在于，步骤(1)中，抛光后所述铍棒的表面粗糙度Ra≤0.8μm。

4.如权利要求1所述的基于真空感应区熔制备高纯铍的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述真空环境中的压力≤1×10-3Pa。

5.如权利要求1所述的基于真空感应区熔制备高纯铍的方法，其特征在于，步骤(2)中，熔区的移动速度v≤...

【技术特征摘要】

1.一种基于真空感应区熔制备高纯铍的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的基于真空感应区熔制备高纯铍的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述铍棒为工业级铍棒，纯度≥99.9％。

3.如权利要求1所述的基于真空感应区熔制备高纯铍的方法，其特征在于，步骤(1)中，抛光后所述铍棒的表面粗糙度ra≤0.8μm。

4.如权利要求1所述的基于真空感应区熔制备高纯铍的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述真空环境中的压力≤1×10-3pa。

5.如权利要求1所述的基于真空感应区熔制备高纯铍的方法，其特征在于，步骤(2)...

【专利技术属性】
技术研发人员：王震宏，
申请(专利权)人：四川中科泰达材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：