半导体镀膜芯片制造技术

本技术涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体镀膜芯片，包括：P面镀金薄膜、衬底P面、有源区、衬底N面、N面镀金薄膜及至少一金锡薄膜组，所述P面镀金薄膜设置于所述衬底P面，所述金锡薄膜组设置于所述衬底N面。本技术提供了一种半导体镀膜芯片，所示芯片的表面交替生成有至少一包含多种材料的薄膜组，一方面，所述半导体镀膜芯片的制造过程中能够充分利用蒸发镀膜设备，减少工艺流程中再次给热沉表面沉积金锡薄膜而节约制造周期；另一方面，所述半导体镀膜芯片与热沉载体的直接键合，能够简化芯片与载体焊接工艺流程及降低空洞率，从而提高芯片的性能和使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体，具体涉及一种半导体镀膜芯片。

技术介绍

1、随着集成电路行业不断发展与应用，芯片设计越来越复杂，集成度越来越高，芯片焊接及封装的难度越来越大。当前常用工艺是将金锡预制在热沉上或者使用金锡焊料片对芯片与热沉载体进行焊接键合。然而这种方式通常存在着由焊料表面的氧化膜、粉尘微粒、熔化时未排出的气泡形成而形成的空洞，由氧化物所形成的膜会阻碍金属化表面的结合部相互渗透，所留下的缝隙冷却凝结后形成空洞。焊接时形成的空洞会降低器件的可靠性，扩大ic断裂的可能，并会增加器件的工作温度、削弱管芯的粘贴能力，也会影响接地效果及其它电气性能。在一些功率半导体模块(例如高压igbt模块等)采用膏状焊料或者压制成形的片状焊料将元件焊接到衬板上的方式中，因膏状焊料的焊层均匀性不良、助焊剂残留，片状焊料不具有粘附性、与元件及载体容易发生相对移动的焊接定位准确性低等缺点而带来了芯片封装焊接中存在的各种问题。因此，有必要提供一种新型半导体芯片。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种半导体镀膜芯片，进而至少在一定程度上克本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体镀膜芯片,其特征在于,所述半导体镀膜芯片依次包括:P面镀金薄膜、衬底P面、有源区、衬底N面、N面镀金薄膜及至少一金锡薄膜组,所述P面镀金薄膜设置于所述衬底P面,所述金锡薄膜组设置于所述衬底N面。

2.根据权利要求1所述的半导体镀膜芯片,其特征在于,所述薄膜组中金材料和锡材料共晶膜组与N面镀金膜结合。

3.根据权利要求1所述的半导体镀膜芯片,其特征在于,所述薄膜组的镀制技术为电子束蒸发镀膜技术、热阻蒸发镀膜技术和/或磁控溅射镀膜技术。

4.根据权利要求1所述的半导体镀膜芯片,其特征在于,所述衬底为金刚石材料或氮化镓材料。

5.根...

【技术特征摘要】

1.一种半导体镀膜芯片,其特征在于,所述半导体镀膜芯片依次包括:p面镀金薄膜、衬底p面、有源区、衬底n面、n面镀金薄膜及至少一金锡薄膜组,所述p面镀金薄膜设置于所述衬底p面,所述金锡薄膜组设置于所述衬底n面。

2.根据权利要求1所述的半导体镀膜芯片,其特征在于,所述薄膜组中金材料和锡材料共晶膜组与n面镀金膜结合。

3.根据权利要求1所述的半导体镀膜芯片,其特征在于,所述薄膜组的镀制技术为电子束蒸发镀膜技术、热阻蒸发镀膜技术和/或磁控溅射镀膜技术。

4.根据权利要求1所述的半导体镀膜芯片,其特征在于,所述衬底为金刚石材料或氮化镓材料。

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【专利技术属性】
技术研发人员：王卫锋，武小飞，秦占阳，耿凯鸽，王亚磊，
申请(专利权)人：西安智慧谷科技研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：