【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，具体而言，涉及用于钨的化学机械抛光的组合物及其制备方法和化学机械抛光的方法。
技术介绍
1、化学机械抛光/平坦化(chemical mechanical polishing/planarization，简称cmp)，是半导体制造领域的重要工艺，用于实现半导体膜层表面的全局平坦化。随着半导体技术的快速迭代与制程工艺的持续精细化，器件加工对半导体膜层表面的平坦化要求日益严苛，这使得化学机械抛光(cmp)技术在半导体制造中的关键作用愈加显著。
2、抛光组合物(即抛光液)是cmp工艺的重要耗材，其主要由磨料、溶剂、化学添加剂三部分组成。相关技术提供的用于金属钨cmp的抛光液一般选用煅烧得到的气相法二氧化硅(fumed silica)分散于水中作为磨料；用气相法二氧化硅作为磨料相较于以通过湿法工艺形成的胶体二氧化硅(colloidal silica)作为磨料，具有成本低廉、比表面积更大的优点，但气相法二氧化硅在水中形成的胶体的稳定性远不如胶体二氧化硅，原因主要在于气相法二氧化硅作为磨料时，颗粒之间的静电排斥作...
【技术保护点】
1.一种用于钨的化学机械抛光的组合物，其特征在于，所述组合物的原料包括磨料、酸、氧化剂、催化剂、分散剂和溶剂，其中，所述磨料包括气相法二氧化硅，所述分散剂包括氟膦酸二酯。
2.根据权利要求1所述的用于钨的化学机械抛光的组合物，其特征在于，所述氟膦酸二酯包括氟膦酸二甲酯、氟膦酸二乙酯、氟膦酸二异丙酯中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的用于钨的化学机械抛光的组合物，其特征在于，所述用于钨的化学机械抛光的组合物的原料还包括：杀菌剂；和/或，
4.根据权利要求3所述的用于钨的化学机械抛光的组合物，其特征在于，所述组合物的原料包括所述磨料...
【技术特征摘要】
1.一种用于钨的化学机械抛光的组合物，其特征在于，所述组合物的原料包括磨料、酸、氧化剂、催化剂、分散剂和溶剂，其中，所述磨料包括气相法二氧化硅，所述分散剂包括氟膦酸二酯。
2.根据权利要求1所述的用于钨的化学机械抛光的组合物，其特征在于，所述氟膦酸二酯包括氟膦酸二甲酯、氟膦酸二乙酯、氟膦酸二异丙酯中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的用于钨的化学机械抛光的组合物，其特征在于，所述用于钨的化学机械抛光的组合物的原料还包括：杀菌剂；和/或，
4.根据权利要求3所述的用于钨的化学机械抛光的组合物，其特征在于，所述组合物的原料包括所述磨料、所述酸、所述氧化剂、所述催化剂、所述分散剂、所述杀菌剂、所述有机溶剂和所述无机溶剂，且按照质量百分数计包括：0.50％～30.00％的所述磨料，0.10％～2.00％的所述酸，0.50％～5.00％的所述氧化剂，0.05％～2.00％的所述催化剂，0.10％～1.00％的所述分散剂，0.01％～1.00％的所述杀菌剂，0.50％～10...
【专利技术属性】
技术研发人员：张伟明，章学春，曾正午，李俏，
申请(专利权)人：上海盛剑微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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