【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备，特别涉及一种具有高温和气体均匀性的立式双温区cvd设备。
技术介绍
1、化学气相沉积（cvd）作为一种多功能薄膜沉积技术，具有较高的灵活性和适应性，适合各种材料（如金属、半导体、绝缘体和电介质等）的大面积沉积，一直以来被广泛应用于半导体、微电子和先进材料的制造。而随着半导体材料与芯片产业的不断发展，人们对cvd沉积薄膜的表面质量和均匀性提出了更高的要求。而在卧式cvd设备中，气体由衬底片近进气口一侧吹响近出气口一侧，同时缺少气体流速和流动方向的调节手段，容易引起气体的湍流，使得反应前驱体在衬底片表面吸附的不均匀性，进而导致薄膜生长过程中厚度和成分的不均匀。同时， cvd设备通常采用电阻加热的方式进行温度控制，容易存在“温度连带”的不良情况，并且电阻加热的方式温度传导较慢，温控精确度受限，也影响了沉积薄膜的表面质量和均匀性。
技术实现思路
1、为了克服现有技术的上述缺点与不足，本专利技术的目的在于提供一种具有高温和气体均匀性的立式双温区cvd设备。
2、...
【技术保护点】
1.一种具有高温和气体均匀性的立式双温区CVD设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的立式双温区CVD设备，其特征在于，所述基片台设置膜厚仪，用于测试基片台的沉积膜厚度。
3.根据权利要求1所述的立式双温区CVD设备，其特征在于，所述节流阀内部设置调节孔，所述调节孔为多孔板结构。
4.根据权利要求1或2任一项所述的立式双温区CVD设备，其特征在于，所述基片台设有四个容置槽，用于放置待加工的衬底片。
5.根据权利要求4所述的立式双温区CVD设备，其特征在于，所述基片台通过负压吸紧方式固定衬底片。
6....
【技术特征摘要】
1.一种具有高温和气体均匀性的立式双温区cvd设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的立式双温区cvd设备，其特征在于，所述基片台设置膜厚仪，用于测试基片台的沉积膜厚度。
3.根据权利要求1所述的立式双温区cvd设备，其特征在于，所述节流阀内部设置调节孔，所述调节孔为多孔板结构。
4.根据权利要求1或2任一项所述的立式双温区cvd设备，其特征在于，所述基片台设有四个容置槽，用于放置待加工的衬底片。
5.根据权利要求4所述的立式双温区cvd设备，其特征在于，所述基片台通过负压吸紧方式固定衬底片。
6.根据权利要求1所述的立式双温区cvd设备，其特征在于，两个温区之间无间隔。
7.根据权利要求6所述...
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