【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其是一种极化过程二维铁电晶体管变化参数确定方法、系统、装置与存储介质。
技术介绍
1、相关技术中，pzt极化影响二维铁电晶体管的载流子浓度的电压范围可以用于二维铁电晶体管的设计和性能的优化，而在日常设计实验中，由于二维铁电晶体管的二硫化钼区域的电容-电压曲线无法准确直接得到，往往需要人工采集数据并计算得到。而电容-电压曲线往往是确定pzt极化影响所述二维铁电晶体管的载流子浓度的电压范围的最关键参数，这就导致相关技术得到的pzt极化影响二维铁电晶体管的载流子浓度的电压范围不准确，进而影响了后续二维铁电晶体管的设计和性能的优化过程。因此，相关技术中仍存在需要解决的技术问题。
技术实现思路
1、本申请的目的在于至少一定程度上解决现有技术中存在的技术问题之一。
2、为此，本申请实施例的一个目的在于提供一种极化过程二维铁电晶体管变化参数确定方法、系统、装置与存储介质，该方案可以提高数据准确度。
3、为了达到上述技术目的，本申请实施例所采取的技术方案包括：一...
【技术保护点】
1.一种极化过程二维铁电晶体管变化参数确定方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述一种极化过程二维铁电晶体管变化参数确定方法，其特征在于，所述确定二维铁电晶体管的二硫化钼区域的本征载流子浓度，具体包括：
3.根据权利要求1所述一种极化过程二维铁电晶体管变化参数确定方法，其特征在于，所述通过有限元分析得到所述二硫化钼区域的不同载流子浓度的若干个第二电容-电压曲线，具体包括：
4.根据权利要求3所述一种极化过程二维铁电晶体管变化参数确定方法，其特征在于，所述半导体有限元平衡方程包括：
5.根据权利要求4所述一...
【技术特征摘要】
1.一种极化过程二维铁电晶体管变化参数确定方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述一种极化过程二维铁电晶体管变化参数确定方法，其特征在于，所述确定二维铁电晶体管的二硫化钼区域的本征载流子浓度，具体包括：
3.根据权利要求1所述一种极化过程二维铁电晶体管变化参数确定方法，其特征在于，所述通过有限元分析得到所述二硫化钼区域的不同载流子浓度的若干个第二电容-电压曲线，具体包括：
4.根据权利要求3所述一种极化过程二维铁电晶体管变化参数确定方法，其特征在于，所述半导体有限元平衡方程包括：
5.根据权利要求4所述一种极化过程二维铁电晶体管变化参数确定方法，其特征在于，所述半导体频域扰动平衡方程包括：
6.根据权利要求4所述一种极化过程二维铁...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄博远，苏圣尧，张凤元，李江宇，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：
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