一种晶圆倒角加工方法、加工装置和系统制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆倒角加工方法、加工装置和系统，该方法包括提供待加工晶圆、对电极和柔性可调辅助电极，待加工晶圆、对电极分别与电源的正极和负极连接；将待加工晶圆分别与对电极和柔性可调对电极间隔相对置于电解液中；根据待加工晶圆的目标倒角通过电场仿真得到辅助电极的预定形状，将柔性可调辅助电极设置为预定形状；通过电源施加电压，待加工晶圆的边缘表面产生电解等离子体，该区域表面在电解等离子体作用下发生氧化反应，被氧化的晶圆与电解液发生化学反应被去除。以上方法采用非接触式加工技术，不仅避免了加工过程中的机械应力和表面损伤，等离子体具有极高的能量密度能够实现快速加工，加工表面光滑且无微裂纹。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶圆加工，尤其是涉及一种晶圆倒角加工方法、加工装置和系统。

技术介绍

1、在半导体制造过程中，晶圆边缘处理主要是为了防止晶圆边缘碎裂、防止热应力集中以及增加外延层和光刻胶层在晶圆边缘的平坦度，该过程是一个重要且具有挑战性的环节。晶圆边缘容易产生微裂纹、毛刺等缺陷，这些缺陷不仅影响晶圆的机械强度，还可能在后续生产过程中引发颗粒污染，进而影响芯片的良率和可靠性。如何以低表面损伤、高效率、环保的方式实现晶圆倒角，长期以来一直是晶圆制造领域面临的难题。

2、目前，晶圆倒角加工的常用工艺是机械研磨，但该方法仍存在一些缺点。首先，边缘崩裂是主要问题之一，由于硅等材料的脆性，研磨过程中会产生微裂纹和断裂，这些小缺陷可能会扩展，导致后续制造阶段的严重损坏或晶圆破裂。其次，研磨过程还会造成表面和内部损伤，温度、施加的力和应变速率等因素都会影响这种损伤，从而影响晶圆的结构完整性和性能。此外，实现均匀的边缘轮廓具有挑战性，研磨过程中的变化可能导致边缘不均匀，影响半导体器件的性能。

技术实现思路p>

1、本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆倒角加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的晶圆倒角加工方法，其特征在于，所述电解液的浓度为1wt％～10wt％；和/或，所述电压为190V～250V。

3.一种晶圆倒角加工装置，其特征在于，包括：

4.根据权利要求3所述的晶圆倒角加工装置，其特征在于，所述柔性可调辅助电极包括柔性电极和驱动组件；所述柔性电极被配置为与所述待加工晶圆和所述对电极配合置于所述容置槽所容置的电解液中，且与所述待加工晶圆上的待加工倒角部位间隔相对设置进行倒角加工；所述驱动组件用于调控柔性电极的形状。

5.根据权利要求4所述的晶圆倒...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆倒角加工方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的晶圆倒角加工方法，其特征在于，所述电解液的浓度为1wt％～10wt％；和/或，所述电压为190v～250v。

3.一种晶圆倒角加工装置，其特征在于，包括：

4.根据权利要求3所述的晶圆倒角加工装置，其特征在于，所述柔性可调辅助电极包括柔性电极和驱动组件；所述柔性电极被配置为与所述待加工晶圆和所述对电极配合置于所述容置槽所容置的电解液中，且与所述待加工晶圆上的待加工倒角部位间隔相对设置进行倒角加工；所述驱动组件用于调控柔性电极的形状。

5.根据权利要求4所述的晶圆倒角加工装置，其特征在于，所述驱动组件包括：

6.根据权利要求5...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵永华，钟毅进，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：